|
|
|
부품번호 | PF0210 기능 |
|
|
기능 | MOS FET Power Amplifier Module for ADC Mobile Phone | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
PF0210
MOS FET Power Amplifier Module for ADC Mobile Phone
Features
• High efficiency: 34% Typ for CW
30% Typ for π/4-DQPSK
• Low input power: 0 dBm ave. Typ for π /4-DQPSK
• Simple bias circuit
• High speed switching: 8 µs Typ
Pin Arrangement
• RF-B2
2
51
5
4
3
ADE-208-102E (Z)
Preliminary
6th Edition
July 1996
1: Pin
2: VAPC
3: VDD
4: Pout
5: GND
PF0210
Characteristics Curve
VAPC, ηT, VSWR (in) vs. Frequency
65
60
Pin = 2 mW
54
VDD = 12.5 V
Pout = 6 W 50
VAPC
40
43
ηT 30
32
20
2 1 VSWRin
10
10
0
824 829 834 839 844 849
Frequency f (MHz)
6 20
5 16
Pout, ηT, VSWR (in) vs. Frequency
Pin = 2 mW
ηT
VDD = 12.5 V
VAPC = 3.9 V
60
50
4 12
38
Pout
40
30
20
24
VSWRin
10
10
0
824 829 834 839 844 849
Frequency f (MHz)
4
4페이지 65
54
43
32
21
VAPC, ηT, VSWR (in) vs. VDD (1)
f = 824 MHz
Pin = 2 mW
Pout = 6 W
60
50
VAPC
40
ηT
VSWRin
30
20
10
10
0
10.5 11.5 12.5 13.5 14.5 15.5 16.5
Supply Voltage VDD (V)
65
54
43
VAPC, ηT, VSWR (in) vs. VDD (2)
f = 849 MHz
Pin = 2 mW
Pout = 6 W
60
50
VAPC
40
ηT 30
32
20
21
VSWRin
10
10
0
10.5 11.5 12.5 13.5 14.5 15.5 16.5
Supply Voltage VDD (V)
PF0210
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
다운로드 | [ PF0210.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PF0210 | MOS FET Power Amplifier Module for ADC Mobile Phone | Hitachi Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |