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PH1819-4N 데이터시트 PDF




Tyco Electronics에서 제조한 전자 부품 PH1819-4N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PH1819-4N 자료 제공

부품번호 PH1819-4N 기능
기능 Wireless Bipolar Power Transistor/ 4W 1.78 - 1.90 GHz
제조업체 Tyco Electronics
로고 Tyco Electronics 로고


PH1819-4N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PH1819-4N 데이터시트, 핀배열, 회로
an AMP comoanv
Wireless Bipolar
1.78 - 1.90 GHz
Power
Transistor,
4W
PH1819-4N
Features
NPN Silicon Microwave Power Transistor
Designed for Linear Amplifier Applications
Class AB: -34 dBc Typ 3rd IMD at 4 Watts PEP
Class A: +44 dBm Typ 3rd Order Intercept Point
Common Emitter Configuration
Internal Input Impedance Matching
Diffused Emitter Ballasting
Gold Metallization System
.
,975
.‘24 77,
v2.00
i
Absolute Maximum Ratings at 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Units
Collector-Base Voltage
Collector-EmitterVoltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
JunctionTemperature
Storage Temperature
Thermal Resistance
Vcm
VCES
VES0
‘c
PO
TJ
TST0
eJC
60
60
3.0
0.7
19.5
200
-55 to +150
7.5
V
V
V
1
A
W
“C
“C
“C/W
_ ,253~.DlO
, c&43*.25)
I;;;;:;;)
+’
1;
;’
I
J
1
I
,
.0045? OOl:,
--A-;
,110
:2.79>
t
UN-ESS OTHERWlSE
ND-ED, TOLERANZES
ARE :M1,i ILN,H. ECTEtR-S3 t C=,O13MYM)
Electrical Characteristics at 25°C
Parameter
Symbol Min Max Units
Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage BV,,, 60 - V I,=5 mA
Collector-Emitter Leakage Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
ICES
BVcEo
20
2.0 mA V,,=24 V
- V I,=5 mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV,,, 3.0 - V 1,=2.5 mA
DC Forward Current Gain
Power Gain
Collector Efficiency
Input Return Loss
hFE 15 120 - V,,=5 V, I,=O.l A
GP 10 - dB V,:=26 V, I,,-,=20mA, PO,,.=4W PEP, F=1850 MHz, AF=lOO kHz
% 25 - % V&6 V, l,c=20 mA, Po,,r=4 W PEP, F=1850 MHz, AF=lOO kHz
RL 10 - dB V,,t26 V, I,,=20 mA, Poe4 W PEP, Ft1850 MHz, AF=lOO kHz
Load MismatchTolerance
3rd Order IMD
VSWR-T
IMD,
-
-
1O:l - V,,=26 V, l,c=20 mA, POUT=W4 PEP, F=1850 MHz, AF=l 00 kHz
-30 dBc V,,=26 V, I,,=20 mA, PO,=4 W PEP, F=1850 MHz, AF=~ 00 kHz
Typical Optimum Device Impedances
I F(MHz)
I 1780
q(Q)
I 3.5+i9.3
LAO(Q)
I 3.5+j5.6
1850
3.1 + j9.2
4.5 + j5.2
1900
3.3 + jS.9
4.8 + j5.5
(





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