|
|
|
부품번호 | MA3V175D 기능 |
|
|
기능 | Silicon epitaxial planar type | ||
제조업체 | Panasonic | ||
로고 | |||
Switching Diodes
MA3V175D, MA3V176D
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
4.0 ± 0.2
Unit : mm
I Features
• Short reverse recovery time trr
• Small terminal capacitance, Ct
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Reverse voltage MA3V175D
(DC)
MA3V176D
VR
40
80
Peak reverse
voltage
MA3V175D
MA3V176D
VRM
40
80
Forward current Single
(DC)
Double
IF
100
150
Peak forward
current
Single
Double
IFM
225
340
Non-repetitive peak Single
forward surge current* Double
IFSM
500
750
Junction temperature
Storage temperature
Tj 150
Tstg −55 to +150
Note) * : t = 1 s
Unit
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
marking
123
1.27 1.27
2.54 ± 0.15
1 : Cathode
2 : Anode
3 : Cathode
New S-Type Package
Internal Connection
123
I Electrical Characteristics Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Reverse current (DC) MA3V175D
MA3V176D
IR
Forward voltage (DC)
Reverse voltage (DC) MA3V175D
MA3V176D
VF
VR
Terminal capacitance
Reverse recovery time*
Ct
trr
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : trr measuring circuit
DUT
Conditions
VR = 35 V
VR = 75 V
IF = 100 mA
IR = 100 µA
VR = 0 V, f = 1 MHz
IF = 10 mA, VR = 6 V
Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω
Input Pulse
tr tP
Rs = 50 Ω
V = VR + IR·RS
IF
Sampling
Oscilloscope
Ri = 50 Ω
10%
90%
tp = 100 ns
tr = 0.6 ns
δ = 0.05
Min Typ Max Unit
0.1 µA
0.1
1.2 V
40 V
80
4 pF
10 ns
Output Pulse
trr
0 IF
t
Irr = 0.1·IR
IF = 10 mA
VR = 6 V
RL = 100 Ω
1
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ MA3V175D.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MA3V175D | Silicon epitaxial planar type | Panasonic |
MA3V175E | Silicon epitaxial planar type | Panasonic |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |