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PHX1N60E 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PHX1N60E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PHX1N60E 자료 제공

부품번호 PHX1N60E 기능
기능 PowerMOS transistor Isolated version of PHP1N60E
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PHX1N60E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PHX1N60E 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Isolated version of PHP1N60E
Objective Specification
PHX1N60E
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
field-effect power transistor in a full
pack, plastic envelope featuring high
avalanche energy capability, stable
blocking voltage, fast switching and
high thermal cycling performance
with low thermal resistance. Intended
for use in Switched Mode Power
Supplies (SMPS), motor control
circuits and general purpose
switching applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VDS
ID
Ptot
RDS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Drain-source on-state resistance
MAX.
600
1.3
25
6
UNIT
V
A
W
PINNING - SOT186A
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain
3 source
case isolated
PIN CONFIGURATION
case
12 3
SYMBOL
d
g
s
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDS
VDGR
±VGS
ID
IDM
IDR
IDRM
Ptot
Tstg
Tj
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak
value)
Source-drain diode current
(DC)
Source-drain diode current
(pulse peak value)
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
RGS = 20 k
Ths = 25 ˚C
Ths = 100 ˚C
Ths = 25 ˚C
Ths = 25 ˚C
Ths = 25 ˚C
Ths = 25 ˚C
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
WDSS
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
WDSR1
Drain-source repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
ID = 1.9 A; VDD 50 V; VGS = 10 V;
RGS = 50
Tj = 25˚C prior to surge
Tj = 100˚C prior to surge
ID = 1.9 A; VDD 50 V; VGS = 10 V;
RGS = 50 ; Tj 150 ˚C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
MIN.
-
-
-
MAX.
600
600
30
1.3
0.83
5.2
1.3
5.2
25
150
150
MAX.
120
20
3.6
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
W
˚C
˚C
UNIT
mJ
mJ
mJ
1. Pulse width and frequency limited by Tj(max)
November 1996
1
Rev 1.000




PHX1N60E pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PowerMOS transistor
Objective specification
PHX1N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Recesses (2x)
2.5
0.8 max. depth
10.3
max
3.2
3.0
3 max.
not tinned
13.5
min.
0.4 M
12 3
5.08
4.6
max
2.9 max
2.8
15.8 19
max. max.
seating
plane
6.4
15.8
max
3
2.5
0.6
2.54 0.5
2.5
1.0 (2x)
0.9
0.7
1.3
Fig.1. SOT186A; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
November 1996
4
Rev 1.000

4페이지












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다운로드[ PHX1N60E.PDF 데이터시트 ]

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