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MG600J2YS60A 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 MG600J2YS60A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MG600J2YS60A 자료 제공

부품번호 MG600J2YS60A 기능
기능 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


MG600J2YS60A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MG600J2YS60A 데이터시트, 핀배열, 회로
MG600J2YS60A
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600J2YS60A(600V/600A 2in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
· Integrates a complete half bridge power circuit and fault-signal output circuit in one package.
(short circuit and over temperature)
· The electrodes are isolated from case.
· Low thermal resistance
· VCE (sat) = 2.1 V (typ.)
Equivalent Circuit
1
5
6 FO
7
E1/C2
4 OT
1
2 FO
3
E2
Signal terminal
1. G (L) 2. FO (L) 3. E (L) 4.
VD
5. G (H) 6. FO (H) 7. E (H) 8. Open
1 2002-09-06




MG600J2YS60A pdf, 반도체, 판매, 대치품
3. Module (Tc = 25°C)
Characteristics
Junction to case thermal resistance
Case to fin thermal resistance
Switching Time Test Circuit
Symbol
Rth (j-c)
Rth (c-f)
Test Condition
Inverter IGBT stage
Inverter FRD stage
With silicon compound
-VGE
RG
IC
RG
IF
L
VCC
MG600J2YS60A
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ 0.045
°C/W
¾ ¾ 0.068
¾ 0.013 ¾ °C/W
Timing Chart
VGE
10%
90%
90% Irr
Irr 20% Irr
IC trr
90%
10%
td (on)
10%
td (off) tf
4 2002-09-06

4페이지










MG600J2YS60A 전자부품, 판매, 대치품
IF – VF
600
Common cathode
VGE = 0 V
500
400 Tj = 25°C
300
125°C
200
-40°C
100
0
0 0.5 1 1.5 2
Forward voltage VF (V)
2.5
MG600J2YS60A
VCE, VGE – QG
500
Common emitter
RL = 0.5 W
Tj = 25°C
400
20
16
300 12
200 8
100 4
00
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
Charge QG (nC)
10000
SW time – RG
Common emitter, VCC = 300 V
IC = 600 A
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
toff
1000
td (off)
ton
td (on)
tr
100
0
tf
5 10 15 20
Gate resistance RG (9)
25
Eon, Eoff – RG
1000
100
10
0
Eon
Eoff
Common emitter
VCC = 300 V
IC = 600 A
VGE = ±15 V
5 10 15
Tj = 25°C
Tj = 125°C
20 25
Gate resistance RG (9)
SW time – IC
10000
Common emitter, VCC = 300 V
RG = 5.1 W
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
toff
1000
ton
td (off)
td (on)
tf tr
100
0
100 200 300 400 500
Collector current IC (A)
600
Eon, Eoff – IC
100
Eoff
Eon
10
Common emitter
VCC = 300 V
RG = 5.1 W
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
1
0 100 200 300 400 500 600
Collector current IC (A)
7 2002-09-06

7페이지


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