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MGB15N40CLT4 데이터시트 PDF




ON에서 제조한 전자 부품 MGB15N40CLT4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MGB15N40CLT4 자료 제공

부품번호 MGB15N40CLT4 기능
기능 Internally Clamped N-Channel IGBT
제조업체 ON
로고 ON 로고


MGB15N40CLT4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MGB15N40CLT4 데이터시트, 핀배열, 회로
MGP15N40CL,
MGB15N40CL,
MGC15N40CL
Internally Clamped
N-Channel IGBT
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features
monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and
high current switching is required.
Gate–Emitter ESD Protection
Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits
Stress Applied to Load
Integrated ESD Diode Protection
Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or
Microprocessor Devices
Low Saturation Voltage
High Pulsed Current Capability
Optional Gate Resistor (RG)
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol Value
Collector–Emitter Voltage
Collector–Gate Voltage
Gate–Emitter Voltage
Collector Current–Continuous
@ TC = 25°C
VCES
VCER
VGE
IC
440
440
22
15
Total Power Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD 136
1.0
Operating and Storage Temperature
Range
TJ, Tstg
–55 to
175
Unit
VDC
VDC
VDC
ADC
Watts
W/°C
°C
http://onsemi.com
N–CHANNEL IGBT
15 A, 410 V
VCE(on) = 1.8 V MAX
C
G RG
RGE
E
MARKING
DIAGRAMS
G
CE
TO–220
CASE 221A
STYLE 9
GP15N40CL
ALYYWW
D2PAK
CASE 418B
STYLE 3
GB15N40CL
ALYYWW
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
April, 2000 – Rev. 1
A = Assembly Location
WL, L = Wafer Lot
YY, Y = Year
WW, W = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MGP15N40CL
TO–220
50 Units/Rail
MGB15N40CLT4 D2PAK 800 Tape & Reel
MGC15N40CL Die Options Not Applicable
1 Publication Order Number:
MGP15N40CL/D




MGB15N40CLT4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MGP15N40CL, MGB15N40CL, MGC15N40CL
45
40 VGE = 10.0 V
35 VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
30
25
20 VGE = 3.0 V
15
10
5 Tj = 25°C
0
0 1 2 34 5 678
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Output Characteristics
45
40 VGE = 10.0 V
35 VGE = 5.0 V
30
VGE = 4.0 V
25
20 VGE = 3.0 V
15
10
5 Tj = 150°C
0
0 1 2 34 5 678
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Output Characteristics
30
VCE = 10 V
25
20
15
Tj = 150°C
10
Tj = 25°C
Tj = 40°C
5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
2.0
1.8 IC = 15 A
1.5 IC = 10 A
1.3 IC = 5 A
1.0
0.8
0.5 VGE = 15 V
0.3
0.0
–50 –25
0
25 50 75 100 125 150
Tj, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 4. Collector–to–Emitter Saturation Voltage
versus Junction Temperature
10000
1000 CISS
100 COSS
10
CRSS
1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Capacitance Variation
2.5
2.0 Mean + 4 σ
Mean
1.5 Mean – 4 σ
1.0
IC = 1 mA
0.5
0.0
–50 –25
0 25 50 75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Threshold Voltage versus Temperature
http://onsemi.com
4

4페이지










MGB15N40CLT4 전자부품, 판매, 대치품
Notes
MGP15N40CL, MGB15N40CL, MGC15N40CL
http://onsemi.com
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