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MGF4319G 데이터시트 PDF




Mitsubishi에서 제조한 전자 부품 MGF4319G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MGF4319G 자료 제공

부품번호 MGF4319G 기능
기능 Super Low Noise InGaAs HEMT
제조업체 Mitsubishi
로고 Mitsubishi 로고


MGF4319G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MGF4319G 데이터시트, 핀배열, 회로
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGF431xG
Super Low Noise InGaAs HEMT
DESCRIPTION
The MGF431xG series super-low-noise HEMT(High Electron
Mobility Transistor) is designed for use in L to K band amplifiers.
The hermetically sealed metal-ceramic package assures
minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for
microstrip circuits.
FEATURES
Low noise figure
@ f=12GHz
MGF4316G : NF min.=0.80dB (MAX.)
MGF4319G : NF min.=0.50dB (MAX.)
High associated gain
Gs=12.0 dB (MIN.)
@ f=12GHz
APPLICATION
L to K band low noise amplifiers.
QUALITY GRADE
GG
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS
VDS=2V , ID=10mA
Refer to Bias Procedure
OUTLINE DRAWING
GD-4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C )
Symbol
Parameter
Ratings Unit
VGDO Gate to drain voltage
-4 V
VGSO
ID
PT
Tch
Gate to source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
-4 V
60 mA
50 mW
125 °C
Tstg Storage temperature
-65 ~ +125 °C
< Keep safety first in your circuit designs! >
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into
making semiconductor products better and more reliable,
but there is always the possibility that trouble may occur
with them.Trouble with semiconductors may lead to personal
injury, fire or property damage. Remember to give due
consideration to safety when making your circuit designs,
with appropriate measures such as (i)placement of
substitutive, auxiliary circuits, (ii)use of non-flammable
material or (iii)prevention against any malfunction or mishap.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta=25°C )
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Min. Typ.
Max
Unit
V(BR)GDO Gate to drain breakdown voltage IG= -10µA
-3 — — V
IGSS
Gate to source leakage current VGS= -2V, VDS=0V
— — 50 µA
IDSS Saturated drain current
VGS=0V, VDS=2V
15 — 60 mA
VGS (off)
Gate to Source cut-off voltage VDS=2V, ID=500µA
-0.1 — -1.5 V
gm Transconductance
VDS=2V, ID=10mA
— 75 — mS
Gs Associated gain
VDS=2V, ID=10mA, f=12GHz
12 13.5 —
dB
NFmin
Minimum noise figure
VDS=2V, ID=10mA, f=12GHz MGF4316G
MGF4319G
— 0.8
dB
— 0.5
Rth (ch-a) Thermal resistance
*1 Vf method
— 625 — ˚C/W
*1 : Channel to ambient
MITSUBISHI
ELECTRIC
as of Apr.'98





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