|
|
|
부품번호 | 74LVT10D 기능 |
|
|
기능 | 3.3V Triple 3-input NAND gate | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
INTEGRATED CIRCUITS
74LVT10
3.3V Triple 3-input NAND gate
Product specification
IC24 Data Handbook
1996 May 29
Philips
Semiconductors
Philips Semiconductors
3.3V Triple 3-input NAND gate
Product specification
74LVT10
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Over recommended operating conditions
Voltages are referenced to GND (ground = 0V)
LIMITS
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
Temp = -40°C to +85°C
MIN TYP1 MAX
VIK Input clamp voltage
VCC = 2.7V; IIK = –18mA
VCC = 2.7 to 3.6V; IOH = –100µA
VCC–0.2
VOH High-level output voltage
VCC = 2.7V; IOH = –6mA
2.4
VCC = 3.0V; IOH = –20mA
2.0
VCC = 2.7V; IOL = 100µA
VOL Low-level output voltage
VCC = 2.7V; IOL = 24mA
VCC = 3.0V; IOL = 32mA
II Input leakage current
VCC = 0 or 3.6V; VI = 5.5V
VCC = 3.6V; VI = VCC or GND
IOFF
Output off current
VCC = 0V; VI or VO = 0 to 4.5V
ICCH
ICCL
Quiescent supply current
VCC = 3.6V; Outputs High, VI = GND or
VCC, IO = 0
VCC = 3.6V; Outputs Low, VI = GND or VCC,
IO = 0
∆ICC
Additional supply current per input pin2
VCC = 3V to 3.6V; One input at VCC–0.6V,
Other inputs at VCC or GND
CI Input capacitance
VI = 3V or 0
NOTES:
1. All typical values are at VCC = 3.3V and Tamb = 25°C.
2. This is the increase in supply current for each input at the specificed voltage level other than VCC or GND.
VCC
2.5
2.3
0.05
0.3
0.35
0.1
0.01
1
0.001
1
0.1
2
–1.2
0.2
0.5
0.5
10
±1
±100
0.02
2
0.2
UNIT
V
V
V
µA
µA
mA
mA
pF
AC CHARACTERISTICS
GND = 0V; tR = tF = 2.5ns; CL = 50pF, RL = 500Ω; Tamb = –40°C to +85°C.
SYMBOL
PARAMETER
WAVEFORM
tPLH Propagation delay
tPHL An, Bn, Cn to Yn
NOTE:
1. All typical values are at VCC = 3.3V and Tamb = 25°C.
AC WAVEFORMS
VM = 1.5V, VIN = GND to 2.7V
1
LIMITS
VCC = 3.3V ± 0.3V
MIN
TYP1
MAX
1.0 3.8 5.2
1.0 3.3 4.4
VCC = 2.7V
MAX
6.2
4.4
UNIT
ns
Dna, Dnb, Dnc
VM VM
tPHL
tPLH
Qn VM VM
SF00064
Waveform 1. Propagation Delay for Inverting Outputs
1996 May 10
4
4페이지 Philips Semiconductors
3.3V Triple 3-input NAND gate
SSOP14: plastic shrink small outline package; 14 leads; body width 5.3 mm
Product specification
74LVT10
SOT337-1
1995 May 08
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
다운로드 | [ 74LVT10D.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
74LVT10 | 3.3V Triple 3-input NAND gate | NXP Semiconductors |
74LVT10 | 3.3V Triple 3-input NAND gate | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |