|
|
|
부품번호 | MX0912B351Y 기능 |
|
|
기능 | NPN microwave power transistors | ||
제조업체 | Philips | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
MX0912B351Y
NPN microwave power transistor
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 19
Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
Product specification
MX0912B351Y
THERMAL CHARACTERISTICS
Tj = 125 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Rth j-mb
Rth mb-h
Zth j-h
thermal resistance from junction to mounting base CW
thermal resistance from mounting base to heatsink CW; note 1
thermal impedance from junction to heatsink
tp = 10 µs; δ = 10%
notes 1 and 2
Notes
1. See “Mounting recommendations in the General part of handbook SC19a”.
2. Equivalent thermal impedance under nominal pulse microwave operating conditions.
MAX.
1.7
0.2
0.13
UNIT
K/W
K/W
K/W
CHARACTERISTICS
Tmb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO
collector cut-off current
ICES collector cut-off current
IEBO emitter cut-off current
CONDITIONS
VCB = 65 V; IE = 0
VCB = 50 V; IE = 0
VCE = 60 V; RBE = 0 Ω
VEB = 1.5 V; IC = 0
MAX.
140
14
140
1.4
UNIT
mA
mA
mA
mA
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to Tmb = 25 °C measured in the test circuit as shown in Fig.6 and working in class C
broadband in pulse mode; note 1.
MODE OF OPERATION
Class C;
tp = 10 µs; δ = 10%
tp = 300 µs; δ = 10%;
see Fig.5
f
(GHz)
0.960 to 1.215
1.03 to 1.09
VCC
(V)(2)
50
50
PL
(W)
>325
typ. 375
typ. 350
Gpo
(dB)
>7
typ. 7.6
typ. 8
ηC
(%)
>40
typ. 47
typ. 48
Zi/ZL
(Ω)
see Figs 7 and 8
Notes
1. Operating conditions and performance for other pulse formats can be made available on request.
2. VCC during pulse.
1997 Feb 19
4
4페이지 Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
Product specification
MX0912B351Y
handbook, full pagewidth
30
30
2.5
15
25 3 5
1.5
5.5
5 3.5
7.5 3.5 1
40
0.635
11
7
4.5
0.7
5 3.2
40
21.5
24
MLC085
handbook, full pagewidth
C3
VCC
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity: εr = 10.
1997 Feb 19
C2
L1
L2 C1
C5 C6
MLC086
Fig.6 Broadband test circuit.
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
다운로드 | [ MX0912B351Y.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MX0912B351Y | NPN microwave power transistors | Philips |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |