|
|
|
부품번호 | 7MBI75N-060 기능 |
|
|
기능 | IGBT(600V/75A) | ||
제조업체 | Fuji Electric | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
IGBT MODULE ( N series )
n Features
n Outline Drawing
• Including Brake Chopper
• Square RBSOA
• Low Saturation Voltage
• Overcurrent LimiPti.nOg. FBuonxc7ti0o2n708 - Dallas, TX - (972) 733-1700 - (972) 381-9991 (fax)
( ~ 3 Times Rated Current )
n Equivalent Circuit
P.O. Box 702708 - Dallas, TX - (972) 733-1700 - (972) 381-9991 (fax)
n Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)
Items
Collector-Emitter Voltage
Gate -Emitter Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Collector-Emitter Voltage
Gate -Emitter Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
Surge Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
Mounting Screw Torque *1
Terminal Screw Torque *1
Symbols
VCES
VGES
IC
IC PULSE
-IC PULSE
PC
VCES
VCES
IC
IC PULSE
PC
VRRM
IF(AV)
IFSM
Tj
TStg
VISO
Test Conditions
Ratings Units
600
± 20
V
Continuous
75
1ms 150 A
Continuous
75
1 device
320 W
600
± 20
V
Continuous
1ms
50
100
A
1 device
200 W
600 V
10ms
1
50
A
+150
-40 ∼ +125
°C
A.C. 1min.
2500
V
3.5
3.5
Nm
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ∼ 3.5 Nm (M5)
1000
100
Switching time vs. RG
VCC=300V, IC=75A, VGE=±15V, Tj=25°C
ton
toff
tr
tf
10
175
150
125
100
75
50
25
0
0
10
Gate resistance : RG [Ω ]
Forward current vs. Forward voltage
VGE=OV
100
Tj=125°C 25°C
123
Forward voltage : VF [V]
4
Transient thermal resistance
1 Diode
Brake IGBT
IGBT
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
Pulse width : PW [sec]
1
500
400
300
200
100
0
0
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
25
VCC=200V
300V
400V
20
15
10
5
100 200 300
Gate charge : QG [nC]
0
400
Reverse recovery characteristics
trr, Irr vs. IF
trr 125°C
100
trr 25°C
Irr 125°C
Irr 25°C
10
0 25 50 75 100 125
Forward current : IF [A]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE<15V, Tj<125°C, RG>33Ω
700
600
500
SCSOA
400 (non-repetitive pulse)
300
200
100
0
0
RBSOA (Repetitive pulse)
100 200 300 400 500
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
600
4페이지 1000
100
Brake Chopper IGBT
Switching time vs. RG
VCC=300V, IC=50A, VGE=±15V, Tj=25°C
500
ton
toff 400
tr
300
tf
200
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
25
VCC=200V
300V 20
400V
15
10
100 5
10
10
100
Gate resistance : RG [Ω ]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE<15V, Tj<125°C, RG>51Ω
500
400
300 SCSOA
(non-repetitive pulse)
200
100
0
0
RBSOA (Repetitive pulse)
100 200 300 400 500
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
600
00
0 50 100 150 200 250 300
Gate charge : QG [nC]
Switching loss vs. Collector current
VCC=300V, RG=51Ω , VGE=±15V
6
5
Eoff 125°C
4
3 Eoff 25°C
Eon 125°C
2
Eon 25°C
1
Err 125°C
0 Err 25°C
0 20 40 60 80
Collector Current : IC [A]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
10
Cies
1
0,1
0
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30
Collector-Emitter Voltage : VCE [V]
35
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ 7MBI75N-060.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
7MBI75N-060 | IGBT(600V/75A) | Fuji Electric |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |