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7MBR10SA120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR10SA120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 7MBR10SA120 자료 제공

부품번호 7MBR10SA120 기능
기능 IGBT(1200V/10A)
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR10SA120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7MBR10SA120 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBR10SA120
IGBT MODULE (S series)
1200V / 10A / PIM
IGBT Modules
Features
· Low VCE(sat)
· Compact package
· P.C. board mount
· Converter diode bridge, Dynamic brake circuit
Applications
· Inverter for motor drive
· AC and DC servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
Collector power dissipation
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
-IC
PC
VCES
VGES
IC
ICP
Collector power dissipation
Repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Surge current (Non-Repetitive)
I2t (Non-Repetitive)
Operating junction temperature
Storage temperature
Isolation between terminal and copper base *2
voltage between thermistor and others *3
Mounting screw torque
PC
VRRM
VRRM
IO
IFSM
I2t
Tj
Tstg
Viso
Condition
Continuous
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
1 device
Continuous
1ms
1 device
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
50Hz/60Hz sine wave
Tj=150°C, 10ms
half sine wave
AC : 1 minute
*1 Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)
*2 All terminals should be connected together when isolation test will be done.
*3 Terminal 8 and 9 should be connected together. Terminal 1 to 7 and 10 to 24
should be connected together and shorted to copper base.
Rat ing
1200
±20
15
10
30
20
10
75
1200
±20
15
10
30
20
75
1200
1600
10
105
55
+150
-40 to +125
AC 2500
AC 2500
3.5 *1
Unit
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
A
A
A2s
°C
°C
V
N·m




7MBR10SA120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGBT Modules
7MBR10SA120
1000
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=120, Tj=25°C
500 toff
ton
tr
100
tf
50
0
5000
1000
500
5 10
Collector current : Ic [ A ]
15
20
[ Inverter ]
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=10A, VGE=±15V, Tj=25°C
ton
toff
tr
100
50
50
8
tf
100 500 1000
Gate resistance : Rg [ ]
[ Inverter ]
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=10A, VGE=±15V, Tj=125°C
2000
Eon
6
4
2
Eoff
0
50 100
Err
500
1000
2000
Gate resistance : Rg [ ]
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=120, Tj=125°C
1000
toff
500
ton
tr
tf
100
50
0
3
5 10
Collector current : Ic [ A ]
15
[ Inverter ]
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=120
20
Eon(125 oC)
2
Eon(25 oC)
Eoff(125 oC)
1
Eoff(25 oC)
Err(125 oC)
Err(25 oC)
0
0 5 10 15 20
Collector current : Ic [ A ]
[ Inverter ]
Reverse bias safe operating area
+VGE=15V, -VGE=<15V, Rg=>120, T=j<125°C
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

4페이지










7MBR10SA120 전자부품, 판매, 대치품
IGBT Modules
Outline Drawings, mm
7MBR10SA120

7페이지


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