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7MBR15NE120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR15NE120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 7MBR15NE120 자료 제공

부품번호 7MBR15NE120 기능
기능 IGBT MODULE(1200V/15A/PIM)
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR15NE120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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7MBR15NE120 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBR15NE120
IGBT MODULE
1200V / 15A / PIM
IGBT Modules
Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
Applications
· Inverter for Motoe Drive
· AC and DC Servo Drive Amplifier
· Uninterruptible Power Supply
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Collector power disspation
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Collector power disspation
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Surge current
Repetitive peak reverse voltage
Non-Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Surge current (Non-Repetitive)
I²t (Non-Repetitive)
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
-IC
PC
VCES
VGES
IC
ICP
PC
VRRM
IF(AV)
IFSM
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Operating junction temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Tj
Tstg
Viso
Mounting screw torque
*1 Recommendable value : 1.3 to 1.7 N·m (M4)
Condition
Continuous
1ms
1 device
Continuous
1ms
1 device
10ms
50Hz/60Hz sine wave
Tj=150°C, 10ms
Tj=150°C, 10ms
AC : 1 minute
Ra ting
1200
±20
15
30
15
120
1200
±20
10
20
88
1200
1
50
1600
1700
25
320
512
+150
-40 to +125
AC 2500
1.7 *1
Unit
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
A
A
V
V
A
A
A²s
°C
°C
V
N·m




7MBR15NE120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGBT Module
7MBR15NE120
Switching time vs. RG
Vcc=600V, Ic=15A, VGE=±15V, Tj=25°C
1000
100
100
Gate resistance : RG [ohm]
Forward current vs. Forward voltage
VGE=0V
30
20
10
1000
800
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
25
20
600 15
400 10
200 5
00
0
50
100 150
200 250 300
Gate charge : Qg [nC]
Reverse recovery characteristics
trr, Irr, vs. IF
100
10
0
012
34
Forward voltage : VF [V]
Transient thermal resistance
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
Pulse width : PW [sec.]
1
50
5 10
Forward current : IF [A]
15
20
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE <= 15V, Tj =< 125°C, RG => 82 ohm
140
120
100
80
60
40
20
0
1
0
200
400
600
800
1000
1200
Collector-Emitter voltage : VCE [V]

4페이지










7MBR15NE120 전자부품, 판매, 대치품
IGBT Module
7MBR15NE120
Switching time vs. RG
Vcc=600V, Ic=10A, VGE=±15V, Tj=25°C
1000
100
100
Gate resistance : RG [ohm]
1000
800
600
400
1000
200
0
0
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE =< 15V, Tj <= 125°C, RG => 120 ohm
100
80
60
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
1200
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
10
4
3
2
1
0
0
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
50 100
Gate charge : Qg [nC]
150
Switching loss vs. Collector current
Vcc=600V, RG=120 ohm, VGE=±15V
5 10
Collector current : Ic [A]
15
25
20
15
10
5
0
200
20
1
0.1
0 5 10 15 20 25 30 35
Collector-Emitter voltage : VCE [V]

7페이지


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