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7MBR50NE-060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR50NE-060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 7MBR50NE-060 자료 제공

부품번호 7MBR50NE-060 기능
기능 Power Integrated Module (PIM)
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR50NE-060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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7MBR50NE-060 데이터시트, 핀배열, 회로
Power Integrated Module (PIM)
n Features
Included Rectifier and Brake Chopper
Square RBSOA
Low Saturation Voltage
Overcurrent Limiting Function
( ~ 3 Times Rated Current )
n Equivalent Circuit
n Outline Drawing
n Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)
Items
Collector-Emitter Voltage
Gate -Emitter Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Current
Surge Current (Non Repetitive)
I2t (Non Repetitive)
Collector-Emitter Voltage
Gate -Emitter Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
Surge Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
Mounting Screw Torque *1
Symbols
VCES
VGES
IC
IC PULSE
-IC PULSE
PC
VRRM
VRSM
IO
IFSM
VCES
VGES
IC
IC PULSE
PC
VRRM
IF(AV)
IFSM
Tj
TStg
VISO
Test Conditions
Ratings Units
600
± 20
V
Continuous
50
1ms 100 A
1ms 50
1 device
200 W
800
900
V
50Hz/60Hz sin. wave
Tj=150°C, 10ms
50
350
A
Tj=150°C, 10ms
648 A2s
600 V
± 20
Continuous
1ms
50
100
A
1 device
200 W
600 V
10ms
1
50
A
+150
-40 +125
°C
A.C. 1min.
2500
V
1.7 Nm
Note: *1:Recommendable Value; 1.3 1.7 Nm (M4)




7MBR50NE-060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1000
100
Switching time vs. RG
VCC=300V, IC=30A, VGE=±15V, Tj=25°C
ton
toff
tr
tf
10
10
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
Gate resistance : RG []
FRD
Forward current vs. Forward voltage
VGE=OV
Tj=125°C 25°C
123
Forward voltage : VF [V]
4
Transient thermal resistance
FRD
Converter Diode
1
IGBT
0,1
0,001
0,01
0,1
Pulse width : PW [sec]
1
500
400
300
200
100
0
0
100
10
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
25
VCC=200V
300V
20
400V
15
10
5
50 100
Gate charge : QG [nC]
150
0
Reverse recovery characteristics
trr , Irr vs. IF
trr 125°C
trr 25°C
Irr 125°C
Irr 25°C
1
0 10 20 30 40 50
Forward current : IF [A]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE<15V, Tj<125°C, RG>82
300
250
200
SCSOA
(non-repetitive pulse)
150
100
50
0
0
RBSOA (Repetitive pulse)
100 200 300 400 500 600
Collector-Emitter voltage : VCE [V]

4페이지










7MBR50NE-060 전자부품, 판매, 대치품
1000
100
Switching time vs. RG
Brake Chopper IGBT
VCC=300V, IC=50A, VGE=±15V, Tj=25°C
500
ton
toff 400
tr
300
tf
200
Dynamic input characteristics
T j= 2 5 ° C
25
VCC=200V
300V
400V
20
15
10
10
10
100
Gate resistance : RG []
100
0
0
5
0
50 100 150 200 250 300
Gate charge : QG [nC]
Reversed biased safe operating area
500
+VGE=15V, -VGE<15V, Tj<125°C, RG>51
Switching loss vs. Collector current
VCC=300V, RG=51, VGE=+15V
5
400
300 SCSOA
(non-repetitive pulse)
200
100
0
0
RBSOA (Repetitive pulse)
100 200 300 400 500
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
600
4 Eoff125C
3 Eoff25C
Eon125C
2
E on2 5 C
1
E rr125C
E rr25C
0
0 20 40 60 80
Collector-Emitter Current : IC[A]
Capacitance vs. Collector-Emitter Voltage
Tj=25C
10
C ies
1
0,1
0
C oes
C res
5 10 15 20 25 30
Collector-Emitter Voltage : VCE[V]
35

7페이지


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