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7MBR75SB060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR75SB060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 7MBR75SB060 자료 제공

부품번호 7MBR75SB060 기능
기능 IGBT(600V/75A/PIM)
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR75SB060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7MBR75SB060 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBR75SB060
IGBT MODULE (S series)
600V / 75A / PIM
IGBT Modules
Features
· Low VCE(sat)
· Compact package
· P.C. board mount
· Converter diode bridge, Dynamic brake circuit
Applications
· Inverter for motor drive
· AC and DC servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)
Item
Symbol
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
VCES
VGES
Collector current
IC
ICP
Collector power dissipation
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
-IC
PC
VCES
VGES
IC
Collector power dissipation
Repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Surge current (Non-Repetitive)
I2t (Non-Repetitive)
ICP
PC
VRRM
VRRM
IO
IFSM
I2t
Operating junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Isolation between terminal and copper base *2 Viso
voltage between thermistor and others *3
Mounting screw torque
Condition
Continuous
1ms
1 device
Continuous
1ms
1 device
50Hz/60Hz sine wave
Tj=150°C, 10ms
half sine wave
AC : 1 minute
*1 Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)
*2 All terminals should be connected together when isolation test will be done.
*3 Terminal 8 and 9 should be connected together. Terminal 1 to 7 and 10 to 24
should be connected together and shorted to copper base.
Rat ing
600
±20
75
150
75
300
600
±20
50
100
200
600
800
75
525
1378
+150
-40 to +125
AC 2500
AC 2500
3.5 *1
Unit
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
A
A
A2s
°C
°C
V
V
N·m




7MBR75SB060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGBT Modules
1000
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=33, Tj=25°C
ton
toff
tr
100
tf
7MBR75SB060
1000
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=33, Tj=125°C
ton
toff
tr
100 tf
10
0
5000
1000
50 100
Collector current : Ic [ A ]
150
[ Inverter ]
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj=25°C
ton
toff
tr
100 tf
10
10
15
10
100
Gate resistance : Rg [ ]
[ Inverter ]
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj=125°C
300
Eon
Eoff
5
Err
0
10 100 300
Gate resistance : Rg [ ]
10
0
8
50 100
Collector current : Ic [ A ]
[ Inverter ]
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=33
150
6
4
2
0
0
200
Eon(125 oC)
Eoff(125 oC)
Eon(25 oC)
Eoff(25 oC)
Err(125 oC)
50 100
Collector current : Ic [ A ]
Err(25 oC)
150
[ Inverter ]
Reverse bias safe operating area
+VGE=15V, -VGE=<15V, Rg=>33, Tj<=125°C
150
100
50
0
0 200 400 600 800
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

4페이지










7MBR75SB060 전자부품, 판매, 대치품
IGBT Modules
Outline Drawings, mm
M712
7MBR75SB060
8-R2.25±0.3
4-ø5.5±0.3
13.09
15.24
21 20
19.05
122±1
110±0.3
94.5±0.3
19.05
+0.5
15.24 3.81 4=15.24 11.5 0
19 18
17 16
15 14
10
3.81
99.6±0.3
3.81
4.055
1
14.995
23
15.24
15.24
4
15.24
5
15.24
6
15.24
AA
22.86
1.15±0.2 ø0.4
ø2.5±0.1
ø2.1±0.1
Section A-A
Shows theory dimensions

7페이지


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