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MJE700T 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MJE700T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MJE700T 자료 제공

부품번호 MJE700T 기능
기능 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


MJE700T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MJE700T 데이터시트, 핀배열, 회로
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Plastic Darlington
Complementary Silicon Power
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
High DC Current Gain —
hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage
Multiplication
Choice of Packages —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎMJE700 and MJE800 series
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎT0220AB, MJE700T and MJE800T
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎMAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎRating
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎEmitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎBase Current
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
MJE700,T
MJE800,T
60
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
80
60 80
5.0
4.0
0.1
CASE 77 TO–220
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTotal Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
PD
40 50
0.32 0.40
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎOperating and Storage Junction
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTemperature Range
TJ, Tstg
– 55 to + 150
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTHERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCharacteristic
Symbol
Max
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎThermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCASE 77
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTO–220
RθJC
3.13
2.50
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
W/_C
_C
Unit
_C/W
50
40
TO–220AB
30
TO–126
20
10
REV 3
0
25 50 75 100 125
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
©MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data
150
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by MJE700/D
PNP
MJE700,T
MJE702
MJE703
NPN
MJE800,T
MJE802
MJE803
4.0 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
40 WATT
50 WATT
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
MJE700 – 703
MJE800 – 803
CASE 221A–06
TO–220AB
MJE700T
MJE800T
1




MJE700T pdf, 반도체, 판매, 대치품
MJE700,T MJE702 MJE703 MJE800,T MJE802 MJE803
PNP
MJE700, T Series
6.0 k
4.0 k TJ = 125°C
3.0 k 25°C
VCE = 3.0 V
6.0 k
4.0 k
3.0 k
2.0 k 2.0 k
NPN
MJE800, T Series
TJ = 125°C
VCE = 3.0 V
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1 0.2 0.4 0.6 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
400
300
0.04 0.06
Figure 10. DC Current Gain
0.1 0.2 0.4 0.6 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
3.4
3.0
IC = 1.0 A
2.6 0.5 A
2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
3.4
3.0
IC =
0.5 A
2.6
1.0 A 2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0
0.6
0.1 0.2
1.0
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
0.6
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
IB, BASE CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 11. Collector Saturation Region
50 100
2.2
TJ = 25°C
1.8
1.4 VBE(sat) @ IC/IB = 250
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.6
VBE @ VCE = 3.0 V
2.2
TJ = 25°C
1.8
1.4 VBE(sat) @ IC/IB = 250
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.6
VBE @ VCE = 3.0 V
0.2
0.04 0.06
0.1 0.2 0.4 0.6 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0 4.0
0.2
0.04 0.06
Figure 12. “On” Voltages
0.1 0.2 0.4 0.6 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
4 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

4페이지












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