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MJH6285 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MJH6285은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MJH6285 자료 제공

부품번호 MJH6285 기능
기능 DARLINGTON 20 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 / 80 / 100 VOLTS 160 WATTS
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


MJH6285 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MJH6285 데이터시트, 핀배열, 회로
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJH6282/D
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching motor control
applications.
Similar to the Popular NPN 2N6282, 2N6283, 2N6284 and the PNP 2N6285,
2N6286, 2N6287
Rugged RBSOA Characteristics
Monolithic Construction with Built–in Collector–Emitter Diode
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎMAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎRating
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎEmitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎBase Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTotal Device Dissipation @
TC = 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎDerate above 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎOperating and Storage Junction
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTemperature Range
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
TJ, Tstg
MJH6282
MJH6285
60
60
MJH6283
MJH6286
80
80
5.0
20
40
0.5
MJH6284
MJH6287
100
100
160
1.28
– 65 to + 150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTHERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCharacteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎThermalResistance, Junction to Case
Symbol
RθJC
Max Unit
0.78 _C/W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
NPN
MJH6282
MJH6283*
MJH6284*
PNP
MJH6285
MJH6286*
MJH6287*
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
20 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 80, 100 VOLTS
160 WATTS
CASE 340D–01
©MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data
1




MJH6285 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MJH6282 MJH6283 MJH6284 MJH6285 MJH6286 MJH6287
3000
VCE = 3.0 V
2000
TJ = 150°C
1000
NPN
5000
VCE = 3.0 V
3000 TJ = 150°C
2000 25°C
PNP
500
300
200
150
0.2
0.3
25°C
1000
700 – 55°C
– 55°C
500
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
20
300
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. DC Current Gain
20
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0
2.0 3.0 5.0
2.8
TJ = 25°C
2.6
2.4
2.2
2.0
IC = 15 A
IC = 5.0 A
IC = 10 A
10 20 30 50 100 200 300 500 1000
IB, BASE CURRENT (mA)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0
IC = 15 A
IC = 10 A
IC = 5.0 A
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 10. Collector Saturation Region
3.0
2.5 TJ = 25°C
3.0
2.5 TJ = 25°C
2.0
1.5 VBE @ VCE = 3.0 V
2.0
VBE(sat) @ IC/IB = 250
1.5 VBE(on) @ VCE = 3.0 V
1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. “On” Voltages
4 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

4페이지












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