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80EBU04 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 80EBU04은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 80EBU04 자료 제공

부품번호 80EBU04 기능
기능 Ultrafast Soft Recovery Diode
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


80EBU04 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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80EBU04 데이터시트, 핀배열, 회로
Bulletin PD-20742 rev. B 07/01
Ultrafast Soft Recovery Diode
80EBU04
Features
• Ultrafast Recovery
• 175°C Operating Junction Temperature
Benefits
• Reduced RFI and EMI
• Higher Frequency Operation
• Reduced Snubbing
• Reduced Parts Count
trr = 50ns (typ)
IF(AV) = 80Amp
VR = 400V
Description/ Applications
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/ RFI in high frequency power conditioning systems.
The softness of the recovery eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally suited
for HF welding, power converters and other applications where switching losses are not significant portion of the total
losses.
Absolute Maximum Ratings
Parameters
VR Cathode to Anode Voltage
IF(AV)
Continuous Forward Current, TC = 101°C
IFSM
IFRM !
TJ, TSTG
Single Pulse Forward Current, TC = 25°C
Maximum Repetitive Forward Current
Operating Junction and Storage Temperatures
!"Square Wave, 20kHz
Max
400
80
800
160
- 55 to 175
Units
V
A
°C
Case Styles
www.irf.com
PowIRtab
1




80EBU04 pdf, 반도체, 판매, 대치품
80EBU04
Bulletin PD-20742 rev. B 07/01
180
160
140
DC
120
100 Square wave (D = 0.50)
80% Rated Vr applied
80
see note (3)
60
0 20 40 60 80 100 120
Average Forward Current - IF(AV)(A)
Fig. 5 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
250
Vr = 200V
Tj = 125˚C
Tj = 25˚C
200
150
IF = 160A
IF = 80A
IF = 40A
100
50
100
di F /dt (A/µs )
1000
Fig. 7 - Typical Reverse Recovery time vs. di F /dt
140
RMS Limit
120
100
80
D = 0.01
60 D = 0.02
D = 0.05
40 D = 0.10
D = 0.20
20 D = 0.50
DC
0
0 20 40 60 80 100 120
Average Forward Current - IF(AV)(A)
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
4500
4000
3500
Vr = 200V
Tj = 125˚C
Tj = 25˚C
3000
2500
IF = 160A
IF = 80A
IF = 40A
2000
1500
1000
500
0
100 1000
di F/dt (A/µs )
Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. di F /dt
(3) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward Power Loss = IF(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
PdREV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1= 80% rated VR
4
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80EBU04 전자부품, 판매, 대치품
80EBU04
Bulletin PD-20742 rev. B 07/01
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial Level.
Qualification Standards can be found on IR's Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7309
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 07/01
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7

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