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NESG2021M16 데이터시트 PDF




California Micro Devices Corp에서 제조한 전자 부품 NESG2021M16은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NESG2021M16 자료 제공

부품번호 NESG2021M16 기능
기능 NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
제조업체 California Micro Devices Corp
로고 California Micro Devices Corp 로고


NESG2021M16 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NESG2021M16 데이터시트, 핀배열, 회로
PRELIMINARY DATA SHEET
NEC's NPN SiGe
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NESG2021M16
FEATURES
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY
VCEO = 5 V (Absolute Maximum)
LOW NOISE FIGURE:
NF = 0.9 dB at 2 GHz
NF = 1.3 dB at 5.2 GHz
• HIGH MAXIMUM STABLE GAIN:
MSG = 22.5 dB at 2 GHz
LOW PROFILE M16 PACKAGE:
6-pin lead-less minimold
M16
DESCRIPTION
NEC's NESG2021M16 is fabricated using NEC s high voltage
Silicon Germanium process (UHS2-HV), and is designed for
a wide range of applications including low noise ampliers,
medium power ampliers, and oscillators.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
NESG2021M16
M16
SYMBOLS
NF
Ga
NF
Ga
MSG
|S21E|2
P1dB
OIP3
fT
Cre
ICBO
IEBO
hFE
PARAMETERS AND CONDITIONS
UNITS
Noise Figure at VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz,
ZS = ZSOPT, ZL = ZLOPT
dB
Associated Gain at VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz,
ZS = ZSOPT, ZL = ZLOPT
dB
Noise Figure at VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz,
ZS = ZSOPT, ZL = ZLOPT
dB
Associated Gain at VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz,
ZS = ZSOPT, ZL = ZLOPT
dB
Maximum Stable Gain1 at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
dB
Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
dB
Output Power at 1dB Compression Point at
VCE = 3 V, ICQ = 12 mA, f = 2 GHz
dBm
Output 3rd Order Intercept Point at VCE = 3 V, ICQ = 12 mA, f = 2 GHz dBm
Gain Bandwidth Product at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
GHz
Reverse Transfer Capacitance2 at VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 GHz
pF
Collector Cutoff Current at VCB = 5V, IE = 0
nA
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0
nA
DC Current Gain3 at VCE = 2 V, IC = 5 mA
Notes:
1. MSG = S21
S12
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded.
3. Pulsed measurement, pulse width 350 µs, duty cycle 2 %.
MIN
15.0
20.0
17.0
20
130
TYP
1.3
10.0
0.9
18.0
22.5
19.0
9
17
25
0.1
190
MAX
1.2
0.2
100
100
260
California Eastern Laboratories





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