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MMBD110T1 데이터시트 PDF




ON에서 제조한 전자 부품 MMBD110T1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMBD110T1 자료 제공

부품번호 MMBD110T1 기능
기능 Schottky Barrier Diodes
제조업체 ON
로고 ON 로고


MMBD110T1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MMBD110T1 데이터시트, 핀배열, 회로
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Schottky Barrier Diodes
Schottky barrier diodes are designed primarily for high–efficiency UHF and
VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF
and digital applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 package
which is designed for low–power surface mount applications.
Extremely Low Minority Carrier Lifetime
Very Low Capacitance
Low Reverse Leakage
Available in 8 mm Tape and Reel
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BY MMBD110T1/D
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
3
1
2
CASE 419A–02, STYLE 2
SOT-323/SC–70
MAXIMUM RATINGS
Reverse Voltage
Rating
Forward Power Dissipation
TA = 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
DEVICE MARKING
MMBD110T1 = 4M
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
Symbol
VR
PF
TJ
Tstg
Value
7.0
30
70
120
– 55 to +125
– 55 to +150
Unit
Vdc
mW
°C
°C
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.
©MMotootorroollaa, SInmc. 1a9ll96Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
1




MMBD110T1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
TYPICAL CHARACTERISTICS
MMBD330T1
2.8
MMBD330T1
2.4
f = 1.0 MHz
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Total Capacitance
500
MMBD330T1
400
KRAKAUER METHOD
300
200
100
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 7. Minority Carrier Lifetime
10
MMBD330T1
1.0 TA = 100°C
TA = 75°C
0.1
TA = 25°C
0.01
0.001
0
6.0 12 18 24
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Reverse Leakage
100
MMBD330T1
10
TA = 85°C
TA = – 40°C
1.0
0.1
30 0.2
TA = 25°C
0.4 0.6 0.8 1.0
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Forward Voltage
1.2
4 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

4페이지










MMBD110T1 전자부품, 판매, 대치품
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
PACKAGE DIMENSIONS
A
L
3
S
1
B
2
VD
G
0.05 (0.002)
H
C RN
J
K
CASE 419–02
ISSUE G
SOT–323/SC–70
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
DIM MIN MAX
A 0.071 0.087
B 0.045 0.053
C 0.035 0.049
D 0.012 0.016
G 0.047 0.055
H 0.000 0.004
J 0.004 0.010
K 0.017 REF
L 0.026 BSC
N 0.028 REF
R 0.031 0.039
S 0.079 0.087
V 0.012 0.016
MILLIMETERS
MIN MAX
1.80 2.20
1.15 1.35
0.90 1.25
0.30 0.40
1.20 1.40
0.00 0.10
0.10 0.25
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80 1.00
2.00 2.20
0.30 0.40
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. N.C.
3. CATHODE
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
7

7페이지


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