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부품번호 | MMBT2907A 기능 |
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기능 | PNP Silicon Switching Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
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전체 7 페이지수
PNP Silicon Switching Transistor
High DC current gain: 0.1mA to 500 mA
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type:
SMBT2222A/ MMBT2222A (NPN)
SMBT2907A/MMBT2907A
3
2
1 VPS05161
Type
Marking
SMBT2907A/MMBT2907A s2F
1=B
Pin Configuration
2=E 3=C
Package
SOT23
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Total power dissipation, TS = 77 °C
Junction temperature
Storage temperature
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
Thermal Resistance
Junction - soldering point1)
RthJS
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Value
60
60
5
600
330
150
-65 ... 150
220
Unit
V
mA
mW
°C
K/W
1 Jun-12-2002
Test circuits
Delay and rise time
Input
Z0 = 50 Ω
tr < 2ns
0
-16 V
200 ns
SMBT2907A/MMBT2907A
-30 V
200 Ω
Osc.
1 kΩ tr < 5 ns
50 Ω
EHN00053
Storage and fall time
Input
Z0 = 50 Ω
tr < 2 ns
0
-30 V
200 ns
-6 V
+15 V
1 kΩ
1 kΩ
37 Ω
Osc.
tr < 5 ns
50 Ω
EHN00054
Oscillograph: R > 100Ω, C < 12pF, tr < 5ns
4 Jun-12-2002
4페이지 DC current gain hFE = f (IC)
VCE = 5V
10 3 SMBT 2907/A
5
h FE
10 2
5
150 ˚C
25 ˚C
-50 ˚C
EHP00754
10 1
10 -1
10 0
10 1
10 2 mA 10 3
ΙC
SMBT2907A/MMBT2907A
7 Jun-12-2002
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MMBT2907 | PNP General Purpose Amplifier | Galaxy Microelectronics |
MMBT2907 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | MIC |
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