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MMBT2907A 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 MMBT2907A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MMBT2907A 자료 제공

부품번호 MMBT2907A 기능
기능 PNP Silicon Switching Transistor
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


MMBT2907A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MMBT2907A 데이터시트, 핀배열, 회로
PNP Silicon Switching Transistor
 High DC current gain: 0.1mA to 500 mA
 Low collector-emitter saturation voltage
 Complementary type:
SMBT2222A/ MMBT2222A (NPN)
SMBT2907A/MMBT2907A
3
2
1 VPS05161
Type
Marking
SMBT2907A/MMBT2907A s2F
1=B
Pin Configuration
2=E 3=C
Package
SOT23
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Total power dissipation, TS = 77 °C
Junction temperature
Storage temperature
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
Thermal Resistance
Junction - soldering point1)
RthJS
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Value
60
60
5
600
330
150
-65 ... 150
220
Unit
V
mA
mW
°C
K/W
1 Jun-12-2002




MMBT2907A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Test circuits
Delay and rise time
Input
Z0 = 50
tr < 2ns
0
-16 V
200 ns
SMBT2907A/MMBT2907A
-30 V
200
Osc.
1 ktr < 5 ns
50
EHN00053
Storage and fall time
Input
Z0 = 50
tr < 2 ns
0
-30 V
200 ns
-6 V
+15 V
1 k
1 k
37
Osc.
tr < 5 ns
50
EHN00054
Oscillograph: R > 100, C < 12pF, tr < 5ns
4 Jun-12-2002

4페이지










MMBT2907A 전자부품, 판매, 대치품
DC current gain hFE = f (IC)
VCE = 5V
10 3 SMBT 2907/A
5
h FE
10 2
5
150 ˚C
25 ˚C
-50 ˚C
EHP00754
10 1
10 -1
10 0
10 1
10 2 mA 10 3
ΙC
SMBT2907A/MMBT2907A
7 Jun-12-2002

7페이지


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다운로드[ MMBT2907A.PDF 데이터시트 ]

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