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MMBT3904LT3 데이터시트 PDF




ON에서 제조한 전자 부품 MMBT3904LT3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMBT3904LT3 자료 제공

부품번호 MMBT3904LT3 기능
기능 General Purpose Transistor (NPN Silicon)
제조업체 ON
로고 ON 로고


MMBT3904LT3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MMBT3904LT3 데이터시트, 핀배열, 회로
MMBT3904LT1
Preferred Device
General Purpose Transistor
NPN Silicon
Features
Pb−Free Packages are Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol Value Unit
Collector −Emitter Voltage
Collector −Base Voltage
Emitter −Base Voltage
Collector Current − Continuous
THERMAL CHARACTERISTICS
VCEO
VCBO
VEBO
IC
40 Vdc
60 Vdc
6.0 Vdc
200 mAdc
Characteristic
Symbol Max Unit
Total Device Dissipation FR− 5 Board
(Note 1) TA = 25°C
Derate above 25°C
PD 225 mW
1.8 mW/°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25°C
Derate above 25°C
RqJA
PD
556 °C/W
300 mW
2.4 mW/°C
Thermal Resistance Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
RqJA
TJ, Tstg
417
−55 to
+150
°C/W
°C
1. FR−5 = 1.0  0.75  0.062 in.
2. Alumina = 0.4  0.3  0.024 in. 99.5% alumina.
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
MARKING
DIAGRAM
3
1
2
SOT−23 (TO−236)
CASE 318
Style 6
1AM
1AM = Specific Device Code
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MMBT3904LT1 SOT−23 3000 / Tape & Reel
MMBT3904LT1G SOT−23 3000 / Tape & Reel
MMBT3904LT3 SOT−23 10000 / Tape & Reel
MMBT3904LT3G SOT−23 10000 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
February, 2004 − Rev. 5
1
Publication Order Number:
MMBT3904LT1/D




MMBT3904LT3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MMBT3904LT1
TYPICAL AUDIO SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
12
SOURCE RESISTANCE = 200 W
10 IC = 1.0 mA
8 SOURCE RESISTANCE = 200 W
IC = 0.5 mA
6 SOURCE RESISTANCE = 1.0 k
IC = 50 mA
4
14
12 f = 1.0 kHz IC = 1.0 mA
10 IC = 0.5 mA
8
6
4
IC = 50 mA
IC = 100 mA
2 SOURCE RESISTANCE = 500 W
IC = 100 mA
0
0.1 0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10 20 40
f, FREQUENCY (kHz)
Figure 9.
100
2
0
0.1 0.2
0.4 1.0 2.0 4.0 10 20
RS, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
Figure 10.
40
100
300
200
100
70
50
30
0.1
h PARAMETERS
(VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C)
100
50
20
10
5
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Current Gain
5.0
10
2
1
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Output Admittance
10
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0
Figure 13. Input Impedance
10
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0
Figure 14. Voltage Feedback Ratio
10
http://onsemi.com
4

4페이지












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