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NTE226 데이터시트 PDF




NTE에서 제조한 전자 부품 NTE226은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NTE226 자료 제공

부품번호 NTE226 기능
기능 Germanium PNP Transistor Audio Power Amp
제조업체 NTE
로고 NTE 로고


NTE226 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTE226 데이터시트, 핀배열, 회로
NTE226
Germanium PNP Transistor
Audio Power Amp
Description:
The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–
power output applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +85°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +85°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 25V, IE = 0
– – 200 µA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 6V, IC = 0
– – 200 µA
DC Current Gain
hFE VCE = 1.5V, IC = 200mA
50 100 275
Small–Signal Current Gain Resistance fob VCE = 1.5V, IC = 200mA
– 0.7 – MHz
Base Spreading Resistance
rbb VCE = 1.5V, IC = 200mA, f = 6MHz – 15 –





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