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PDF NTE241 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE241 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE241 (NPN) & NTE242 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Audio Power Amplifier, Switch
Description:
The NTE241 (NPN) and NTE242 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type package
designed for use in power amplifier and switching circuits.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
VCEO(sus)
ICEO
ICEX
ICBO
IEBO
IC = 100mA, IB = 0, Note 1
VCE = 80V, IB = 0
VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V
VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V, TC = +125°C
VCB = 80V, IE = 0
VBE = 5V, IC = 0
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
80 – – V
– – 1.0 mA
– – 0.1 mA
– – 2.0 mA
– – 0.1 mA
– – 1.0 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE24 | Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier / Switch | NTE |
| NTE240 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2401 | Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends | NTE |
| NTE2402 | Silicon Complementary Transistors Low Noise / UHF/VHF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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