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NTE2414 데이터시트 PDF




NTE에서 제조한 전자 부품 NTE2414은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NTE2414 자료 제공

부품번호 NTE2414 기능
기능 Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
제조업체 NTE
로고 NTE 로고


NTE2414 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTE2414 데이터시트, 핀배열, 회로
NTE2414 (NPN) & NTE2415 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Digital w/2 Built–In Bias 10k Resistors
(Surface Mount)
Features:
D Built–In Bias Resistors
D Small SOT–23 Surface Mount Package
Applications:
D Switching Circuits
D Inverters
D Interface Circuits
D Driver
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 40V, IE = 0
ICEO VCE = 40V, IB = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 5V, IC = 0
DC Current Gain
hFE VCE = 5V, IC = 10mA
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 10µA, IE = 0
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, RBE =
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10mA, IB = 0.5mA
Current Gain–Bandwidth Product
NTE2414
fT
VCE = 10V, IC = 5mA
NTE2415
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.5 µA
170 250 330 µA
50 – –
50 – – V
50 – – V
– 0.1 0.3 V
– 250 – MHz
– 200 – MHz





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