|
|
|
부품번호 | NTE2511 기능 |
|
|
기능 | Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Output for HDTV | ||
제조업체 | NTE | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
NTE2511 (NPN) & NTE2512 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Frequency Video Output for HDTV
Features:
D High Gain Bandwidth Product: fT = 800MHz Typ.
D Low Reverse Transfer Capacitance and Excellent HF Response:
NTE2511: Cre = 2.9pF
NTE2512: Cre = 4.6pF
Applications:
D Very High–Definition CRT Display
D Video Output
D Color TV Chroma Output
D Wide–Band Amp
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Power Dissipation, PC
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
ICBO
IEBO
hFE
fT
VCB = 60V, IE = 0
VEB = 2V, IC = 0
VCE = 10V, IC = 50mA
VCE = 10V, IC = 400mA
VCE = 10V, IC = 100mA
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 1.0 µA
100 – 320
20 – –
– 800 – MHz
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ NTE2511.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
NTE251 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
NTE2510 | Silicon NPNTransistor High Frequency Video Output | NTE |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |