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부품번호 | NTE2521 기능 |
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기능 | Silicon NPN Transistor Video Output for HDTV | ||
제조업체 | NTE | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
NTE2521
Silicon NPN Transistor
Video Output for HDTV
Features:
D High Gain Bandwidth Product: fT = 400MHz Typ
D High Breakdown Voltage: VCEO ≥ 250V Min
D High Current
D Low Reverse Transfer Capacitance and Excellent HF Response
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector to Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
Collector to Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Collector Dissipation, PC
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3W
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
Cre
VCB = 150V, IE = 0
VEB = 2V, IC = 0
VCE = 10V, IC = 50mA
VCE = 10V, IC = 250mA
VCE = 30V, IC = 100mA
VCB = 30V, f = 1MHz
VCB = 30V, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.1 µA
60 – 320
20 – –
– 400 – MHz
– 4.2 – pF
– 3.4 – pF
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
NTE252 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
NTE2520 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
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