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NTE2935 데이터시트 PDF




NTE에서 제조한 전자 부품 NTE2935은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NTE2935 자료 제공

부품번호 NTE2935 기능
기능 MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch
제조업체 NTE
로고 NTE 로고


NTE2935 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTE2935 데이터시트, 핀배열, 회로
NTE2935
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Avalanche Rugged Technology
D Rugged Gate Oxide Technology
D Lower Input Capacitance
D Improved Gate Charge
D Extended Safe Operating Area
D Lower RDS(on): 0.638Typ
D Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ VDS = 500V
Absolute Maximum Ratings:
Drain–to–Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Drain Current, ID
Continuous
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.68W/°C
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 641mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.5mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.46°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 30mH, IAS = 6.2A, VDD = 50V, RG = 27, Starting TJ = +25°C.
Note 3. ISD 8A, di/dt 160A/µs, VDD V(BR)DSS, Starting TJ = +25°C.





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다운로드[ NTE2935.PDF 데이터시트 ]

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