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부품번호 | PN3440 기능 |
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기능 | NPN high-voltage transistors | ||
제조업체 | Philips | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
PN3439; PN3440
NPN high-voltage transistors
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 17
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 04
Philips Semiconductors
NPN high-voltage transistors
Product specification
PN3439; PN3440
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
ICBO
IEBO
hFE
hFE
VCEsat
VBEsat
Cc
Ce
fT
collector cut-off current
PN3439
IE = 0; VCB = 360 V
collector cut-off current
PN3440
IE = 0; VCB = 250 V
emitter cut-off current
DC current gain
PN3439
IC = 0; VEB = 5 V
IC = 2 mA; VCE = 10 V
DC current gain
PN3440
IC = 20 mA; VCE = 10 V
collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
IC = 50 mA; IB = 4 mA
IC = 50 mA; IB = 4 mA
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
IC = ic = 0; VEB = 5 V; f = 1 MHz
IC = 10 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz
−
−
−
30
40
−
−
−
−
70
MAX. UNIT
100 nA
100 nA
100 nA
−
−
500 mV
1.3 V
2 pF
20 pF
− MHz
1997 Sep 04
4
4페이지 Philips Semiconductors
NPN high-voltage transistors
NOTES
Product specification
PN3439; PN3440
1997 Sep 04
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PN3440 | NPN high-voltage transistors | Philips |
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