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부품번호 | PN930 기능 |
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기능 | NPN General Purpose Amplifier | ||
제조업체 | Fairchild Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
PN930
Discrete POWER & Signal
Technologies
C
BE
TO-92
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for low noise, high gain, general
purpose applications at collector currents from 1µ to 50 mA.
Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
VCEO
Collector-Emitter Voltage
45
VCBO
Collector-Base Voltage
45
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
IC
TJ, Tstg
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
100
-55 to +150
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
RθJC Thermal Resistance, Junction to Case
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
PN930
625
5.0
83.3
200
Units
V
V
V
mA
°C
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PN930 | NPN General Purpose Amplifier | Fairchild Semiconductor |
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