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TLP4172G 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 TLP4172G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TLP4172G 자료 제공

부품번호 TLP4172G 기능
기능 Photocoupler Photorelay
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


TLP4172G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TLP4172G 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Photocoupler Photorelay
TLP4172G
TLP4172G
Telecommunication
Measurement Equipment
Security Equipment
FA
The Toshiba TLP4172G consists of an aluminum gallium arsenide
infrared emitting diode optically coupled to a photo-MOSFET in a SOP
package. This 1-form-B (NC) photorelay features a withstanding voltage
of 350 V.
4-pin SOP (2.54SOP4): Height = 2.1 mm, pitch = 2.54 mm
Normally closed (1-form-B) device
Peak off-state voltage: 350 V (min)
Trigger LED current: 3 mA (max)
On-state current: 90 mA (max)
On-state resistance: 50 (max)
Isolation voltage: 1500 Vrms (min)
UL Recognized: UL1577, File No. E67349
Pin Configuration (top view)
14
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
11-5H1
Weight: 0.1 g (typ.)
2
1: Anode
2: Cathode
3: Drain
4: Drain
3
1 2004-07-26




TLP4172G pdf, 반도체, 판매, 대치품
IF – Ta
100
80
60
40
20
0
20 0
20 40 60 80 100 120
Ambient temperature Ta (°C)
100
Ta = 25°C
30
10
IF – VF
3
1
0.3
0.1
0.6
0.8 1 1.2 1.4 1.6
Forward voltage VF (V)
1.8
TLP4172G
ION – Ta
160
120
80
40
0
20 0
20 40 60 80 100 120
Ambient temperature Ta (°C)
4 2004-07-26

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