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TLP421 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 TLP421은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TLP421 자료 제공

부품번호 TLP421 기능
기능 Photocoupler GaAs Ired & Photo - Transistor
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


TLP421 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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TLP421 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & PhotoTransistor
TLP421
Office Equipment
Household Appliances
Solid State Relays
Switching Power Supplies
Various Controllers
Signal Transmission Between Different Voltage Circuits
TLP421
Unit in mm
The TOSHIBA TLP421 consists of a silicone phototransistor optically
coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a four lead
plastic DIP (DIP4) with having high isolation voltage
(AC: 5kVRMS (min)).
· Collector-emitter voltage: 80V (min.)
· Current transfer ratio: 50% (min.)
Rank GB: 100% (min.)
· Isolation voltage: 5000Vrms (min.)
· UL recognized: UL1577
· BSI approved: BS EN60065: 1994
Approved no.8411
BS EN60950: 1992
Approved no.8412
· SEMKO approved: EN60065, EN60950, EN60335
Approved no.9910249/01
TOSHIBA
Weight: 0.26 g
115B2
Pin Configurations
(top view)
1
2
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Emitter
4 : Collector
4
3
1 2002-09-25




TLP421 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TLP421
Individual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Forward voltage
Reverse current
Capacitance
Collector-emitter
breakdown voltage
Emitter-collector
breakdown voltage
Collector dark current
Capacitance
(collector to emitter)
Symbol
Test Condition
VF IF = 10 mA
IR VR = 5 V
CT V = 0, f = 1 MHz
V(BR) CEO IC = 0.5 mA
V(BR) ECO IE = 0.1 mA
ID(ICEO)
CCE
VCE = 24 V (ambient light
below 1000 x)
VCE = 24 V (ambient light
Ta = 85°C below 1000 x)
V = 0, f = 1 MHz
Min Typ. Max Unit
1.0 1.2 1.3
V
― ― 10 µA
30 pF
80 ― ―
V
7 ―― V
0.01
(0.1)
0.1
(10)
µA
0.6
(1)
50
(50)
µA
10 pF
Coupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Current transfer ratio
Saturated CTR
Collector-emitter saturation
voltage
Symbol
Test Condition
MIn Typ. Max Unit
IC / IF
IF = 5 mA, VCE = 5 V
Rank GB
50
100
600
600
IC / IF (sat)
IF = 1 mA, VCE = 0.4 V
Rank GB
30
60
VCE (sat)
IC = 2.4 mA, IF = 8 mA
IC = 0.2 mA, IF = 1 mA
Rank GB
0.4
0.2
0.4
%
%
V
Isolation Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Capacitance
(input to output)
Isolation resistance
Isolation voltage
Symbol
Test Condition
CS VS = 0, f = 1 MHz
RS VS = 500 V
AC, 1 minute
BVS AC, 1 second, in oil
DC, 1 minute, in oil
Min Typ. Max Unit
0.8
1×1012 1014
5000
10000
10000
pF
Vrms
Vdc
4 2002-09-25

4페이지










TLP421 전자부품, 판매, 대치품
ID – Ta
10
1
VCE=24 V
0.1
10
5
001
0.001
0.0001
0
30
20
20 40 60 80
Ambient temperature Ta ()
50
40
IC – VCE
30 20
10
5
100
10
IF= 2 mA
0
0
1000
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC /IF – IF
1.2
100
10
3
0.1
Sample A
Sample B
Ta = 25°C
VCE = 5V
VCE = 0.4V
1 10
Forward current IF (mA)
100
TLP421
IC – VCE
80
60
50
30 20 15
40
20
10
IF=5mA
0
0
100
24 6 8
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – IF
10
10
Sample A
Sample B
1
0.1
0.01
0.1
Ta = 25°C
VCE = 5V
VCE = 0.4V
1 10
Forward current IF (mA)
100
7 2002-09-25

7페이지


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