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NDT452 데이터시트 PDF




Fairchild에서 제조한 전자 부품 NDT452은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NDT452 자료 제공

부품번호 NDT452 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Fairchild
로고 Fairchild 로고


NDT452 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NDT452 데이터시트, 핀배열, 회로
June 1996
NDT452AP
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Features
Power SOT P-Channel enhancement mode power field
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,
high cell density, DMOS technology. This very high density
process is especially tailored to minimize on-state resistance
and provide superior switching performance. These devices
are particularly suited for low voltage applications such as
notebook computer power management and DC motor
control.
-5A, -30V. RDS(ON) = 0.065@ VGS = -10V
RDS(ON) = 0.1@ VGS = -4.5V.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package.
________________________________________________________________________________
D
GD S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter
VDSS Drain-Source Voltage
VGSS Gate-Source Voltage
ID Drain Current - Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
PD Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
* Order option J23Z for cropped center drain lead.
(Note 1a)
(Note 1)
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
D
GS
NDT452AP
-30
±20
-5
- 15
3
1.3
1.1
-65 to 150
42
12
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
NDT452AP Rev. B1




NDT452 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Electrical Characteristics
-20
VGS = -10V
-6.0
-5.0
-15 -4.5
-10
-5
-4.0
-3.5
-3.0
0
0 -1 -2 -3
VDS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-4
3
V = -3.5V
GS
2.5 - 4.0
-4.5
2
-5.0
1.5 -6.0
1 -10
0.5
0
-4 -8 -12 -16
ID , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
-20
1.6
ID = -5.0A
1.4 V GS = -10V
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
2
VGS = -10V
1.5
TJ = 125°C
25°C
1
-55°C
0.5
0
-4 -8 -12 -16
ID , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
-20
-20
VDS = -10V
-15
-10
TJ = -55°C
125°C
25°C
-5
0
-1 -2 -3 -4 -5
VGS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-6
1.2
V DS = VGS
1.1 I D = -250µA
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
TJ , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
150
NDT452AP Rev. B1

4페이지












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