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NE325S01-T1 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 NE325S01-T1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NE325S01-T1 자료 제공

부품번호 NE325S01-T1 기능
기능 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


NE325S01-T1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NE325S01-T1 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
C to KU BAND SUPER LOW NE325S01
NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• SUPER LOW NOISE FIGURE:
0.45 dB TYP at 12 GHz
• HIGH ASSOCIATED GAIN:
12.5 dB TYP at 12 GHz
• GATE LENGTH: 0.20 µm
• GATE WIDTH: 200 µm
• LOW COST PLASTIC PACKAGE
DESCRIPTION
The NE325S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction
between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very
high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high
associated gain make it suitable for commercial systems and
industrial applications.
NEC's stringent quality assurance and test procedures assure
the highest reliability and performance.
NOISE FIGURE & ASSOCIATED
GAIN vs. FREQUENCY
VDS = 2 V
ID = 10 mA
24
20
Ga
16
1.0 12
0.5
0
1
8
NF
2 4 6 8 10 14
Frequency, f (GHz)
4
20 30
RECOMMENDED
OPERATING CONDITIONS (TA = 25°C)
SYMBOLS
VDS
ID
Pin
CHARACTERISTICS UNITS MIN TYP MAX
Drain to Source Voltage V
23
Drain Current
mA 10 20
Input Power
dBm
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
SYMBOLS
NF1
GA1
IDSS
gm
VGS(off)
IGSO
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
PARAMETERS AND CONDITIONS
Noise Figure, VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz
Associated Gain, VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz
Saturated Drain Current, VDS = 2 V, VGS = 0 V
Transconductance, VDS = 2 V, ID = 10 mA
Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 2 V,ID = 100 µA
Gate to Source Leak Current, VGS = -3 V
UNITS
dB
dB
mA
mS
V
µA
NE325S01
S01
MIN TYP
0.45
11.0 12.5
20 60
45 60
-0.2 -0.7
0.5
MAX
0.55
90
-2.0
10
Note:
1. Typical values of noise figures and associated gain are those obtained when 50% of the devices from a large number of lots were individually
measured in a circuit with the input individually tuned to obtain the minimum value. Maximum values are criteria established on the production line
as a "go-no-go" screening tuned for the "generic" type but not each specimen.
California Eastern Laboratories




NE325S01-T1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NE325S01
NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
GATE
CGD_PKG
0.001pF
Ldx
Lgx
Rgx 0.69nH
6 ohms
CGS_PKG
0.07pF
Q1 0.6nH Rdx
6 ohms
Lsx
0.07nH
Rsx
0.06 ohms
DRAIN
CDS_PKG
0.05PF
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
Q1
-0.8
0
8
0.103
0.092
0.08
2
1
0.715
3e-13
1.22
0
0
4e-12
0.13e-12
5000
1e-9
0.3e-12
0.02e-12
0.3
0.1
0.5
Infinity
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
3
2
2
0
0
1
27
3
1.43
0
0
1
(1) Series IV Libra TOM Model
SOURCE
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
MODEL RANGE
Frequency: 0.1 to 18 GHz
Bias:
Date:
VDS = 1 V to 3 V, ID = 5 mA to 30 mA
IDSS = 59.9 ma @ VGS = 0, VDS = 2 V
2/98

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