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NE334S01-T1B 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 NE334S01-T1B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NE334S01-T1B 자료 제공

부품번호 NE334S01-T1B 기능
기능 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


NE334S01-T1B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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NE334S01-T1B 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE334S01
C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE334S01 is a Herero Junction FET that utilizes the
hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent
low noise and high associated gain make it suitable for TVRO
and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.25 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. at f = 4 GHz
• Gate Width: Wg = 280 mm
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
NE334S01-T1
NE334S01-T1B
SUPPLYING FORM
Tape & reel 1000 pcs./reel
Tape & reel 4000 pcs./reel
MARKING
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
VDS
4.0
Gate to Source Voltage VGS –3.0
Drain Current
ID IDSS
Total Power Dissipation
Ptot
300
Channel Temperature
Tch 125
Storage Temperature
Tstg –65 to +125
V
V
mA
mW
°C
°C
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
2.0 ± 0.2
1 2.0 ± 0.2
C2
4
3
0.65 TYP.
1.9 ± 0.2
1.6
0.125 ± 0.05
0.4 MAX.
4.0 ± 0.2
1. Source
2. Drain
3. Source
4. Gate
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (TA = 25 °C)
CHARACTERISTIC
Drain to Source Voltage
Drain Current
Input Power
SYMBOL
VDS
ID
Pin
MIN.
TYP.
2
15
MAX.
2.5
20
0
Unit
V
mA
dBm
Document No. P11139EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published October 1996 P
Printed in Japan
© 1996




NE334S01-T1B pdf, 반도체, 판매, 대치품
S-PARAMETERS
VDS = 2 V, ID = 15 mA
START 2 Ghz, STOP 18 Ghz, STEP 500 Mhz
S11
1.0
0.5 5 2.0
4
3
+135˚
0
2
±180˚
–0.5
1
–1.0
–2.0
Rmax. = 1
–135˚
+135˚
±180˚
–135˚
S21
+90˚
1
2
5
3
4
+45˚
0.5
00
–90˚
–45˚
Rmax. = 1.0
–0.5
NE334S01
S12
+90˚
Marker
1: 4 GHz
2: 8 GHz
3: 12 GHz
4: 16 GHz
5: 18 GHz
+45˚
1
2
53
4
0
–90˚
–45˚
Rmax. = 0.25
S22
1.0
5
4
3
2
1
2.0
–1.0
–2.0
Rmax. = 1
4

4페이지










NE334S01-T1B 전자부품, 판매, 대치품
Noise Parameters
<TYPICAL CONSTANT NOISE FIGURE CIRCLE>
0.5
0
1.0
Γopt
0.4 dB
0.6 dB
1.0
0.8 dB
VDS = 2 V
ID = 15 mA
2.0 f = 4 GHz
NE334S01
<Noise Parameters>
VDS = 2 V, ID = 15 mA
–0.5
–1.0
Freq (GHz)
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
NFmin (dB)
0.23
0.25
0.28
0.31
0.38
0.48
0.60
0.73
0.88
Ga (dB)
17.0
16.0
14.7
13.6
12.5
11.5
10.5
9.6
8.8
–2.0
MAG.
0.77
0.58
0.43
0.32
0.27
0.27
0.34
0.48
0.69
/opt.
ANG. (deg.)
15
43
82
127
175
–139
–100
–70
–56
Rn/50
0.19
0.18
0.13
0.08
0.07
0.10
0.17
0.29
0.46
7

7페이지


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