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NX7460LE-BA 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 NX7460LE-BA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NX7460LE-BA 자료 제공

부품번호 NX7460LE-BA 기능
기능 1 480 nm EDFA APPLICATION InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


NX7460LE-BA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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NX7460LE-BA 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
LASER DIODE
NX7460LE
1 480 nm EDFA APPLICATION
InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE
DESCRIPTION
The NX7460LE is a 1 480 nm pumping laser diode module with optical isolator for an EDFA (Er Doped optical
Fiber Amplifier) that can expand the transmission span and compensate optical losses. It has a strained Multiple
Quantum Well (st-MQW) DC-PBH laser diode that features high output power, high efficiency, and stable
fundamental mode.
FEATURES
• InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
• High output power
Pf = 120 mW MIN. @ IF = 550 mA CW
• Internal optical isolator, thermoelectric cooler and InGaAs monitor photo diode
• Hermetically sealed 14-pin butterfly package
• Single mode fiber pigtail
• Wide operating temperature range
TC = 0 to +65 °C
15.24
2.54
71
8 14
0.5
20.83±0.13
26.04±0.13
29.97±0.25
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
TOP VIEW
4– φ 2.67
#7
22.3
Case
#1
PD
LD
#8 #14
Optical Fiber (SMF)
Length: 1 m MIN.
PIN CONNECTIONS
Pin No.
Function
1 Cooler Anode
2 Thermistor
3 PD Anode
4 PD Cathode
5 Case Ground
6 NC
7 NC
Pin No.
Function
8 NC
9 NC
10 LD Anode,
Case Ground
11 LD Cathode
12 NC
13 Case Ground
14 Cooler Cathod
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. P14127EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published September 1999 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark shows major revised points.
©
1999




NX7460LE-BA pdf, 반도체, 판매, 대치품
TYPICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)
OPTICAL OUTPUT POWER FROM FIBER vs.
FORWARD CURRENT
150
100
50
0 300 600
Forward Current IF (mA)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
NX7460LE
LONGITUDINAL MODE
1 430
1 480
Wavelength λ (nm)
1 530
4 Data Sheet P14127EJ2V0DS00

4페이지










NX7460LE-BA 전자부품, 판매, 대치품
NX7460LE
CAUTION
Within this device there exists GaAs (Gallium Arsenide) material which is a
harmful substance if ingested. Please do not under any circumstances break the
hermetic seal.
DANGER
INVISIBLE LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
OUTPUT POWER
mW MAX
WAVELENGTH
nm
CLASS lllb LASER PRODUCT
SEMICONDUCTOR LASER
AVOID EXPOSURE-Invisible
Laser Radiation is emitted from
this aperture
NEC Corporation
NEC Building, 7-1, Shiba 5-chome,
Minato-ku, Tokyo 108-01, Japan
Type number:
Manufactured:
Serial Number:
This product conforms to FDA
regulations as applicable
to standards 21 CFR Chapter 1.
Subchapter J.
Data Sheet P14127EJ2V0DS00
7

7페이지


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