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OBTS149 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 OBTS149은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 OBTS149 자료 제공

부품번호 OBTS149 기능
기능 Smart Lowside Power Switch
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


OBTS149 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

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OBTS149 데이터시트, 핀배열, 회로
HITFET®BTS 149
Smart Lowside Power Switch
Features
Logic Level Input
Input Protection (ESD)
Thermal Shutdown
Overload protection
Short circuit protection
Overvoltage protection
Current limitation
Status feedback with external input resistor
Analog driving possible
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Current limit
Nominal load current
Clamping energy
VDS
RDS(on)
ID(lim)
ID(ISO)
EAS
60 V
18 m
30 A
19 A
6000 mJ
Application
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or
linear applications
µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS® chip on chip tech-
nology. Fully protected by embedded protected functions.
V bb
+
LOAD
1
IN
dv/dt
limitation
Current
lim itation
Overvoltage
protection
Drain
2
ESD
Overload
protection
Over-
temperature
protection
SShhoorrtt cciirrccuuiitt
pprrootteeccttiioonn
Source
HITFET®
3
Semiconductor Group
Page 1
M
13.07.1998




OBTS149 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical Characteristics
Parameter
at Tj=25°C, unless otherwise specified
Characteristics
Initial peak short circuit current limit
VIN = 10 V, VDS = 12 V
Current limit 1)
VIN = 10 V, VDS = 12 V, tm = 350 µs,
Tj = -40...+150 °C
Dynamic Characteristics
Turn-on time VIN to 90% ID:
RL = 1 , VIN = 0 to 10 V, Vbb = 12 V
Turn-off time VIN to 10% ID:
RL = 1 , VIN = 10 to 0 V, Vbb = 12 V
Slew rate on
70 to 50% Vbb:
RL = 1 , VIN = 0 to 10 V, Vbb = 12 V
Slew rate off
50 to 70% Vbb:
RL = 1 , VIN = 10 to 0 V, Vbb = 12 V
Protection Functions
Thermal overload trip temperature
Unclamped single pulse inductive energy
ID = 19 A, Tj = 25 °C, Vbb = 32 V
ID = 19 A, Tj = 150 °C, Vbb = 32 V
Inverse Diode
Inverse diode forward voltage
IF = 5*19A, tm = 300 µs, VIN = 0 V
BTS 149
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
ID(SCp)
ID(lim)
- 130 - A
30 40 55
ton -
toff -
-dVDS/dton -
dVDS/dtoff
-
40 100 µs
70 170
1 3 V/µs
13
Tjt 150 165 - °C
EAS mJ
6000 -
-
1800 -
-
VSD - 1.1 - V
1Device switched on into existing short circuit (see diagram Determination of I D(lim). Dependant on the application, these values
might be exceeded for max. 50 µs in case of short circuit occurs while the device is on condition
Semiconductor Group
Page 4
13.07.1998

4페이지










OBTS149 전자부품, 판매, 대치품
Typ. transfer characteristics
ID = f(VIN); VDS=12V; Tj=25°C
40
A
ID 30
25
20
15
10
5
0
0 1 2 3 4 5 6 °C 8
Tj
Transient thermal impedance
ZthJC = f(tP)
Parameter: D=tP/T
10 0
K/W D=0.5
ZthJC10 -1
0.2
0.1
0.05
10 -2
0.02
0.01
0.005
10 -3
0
BTS 149
Typ. output characteristic
ID = f(VDS); Tj=25°C
Parameter: VIN
40
ID A
10V
6V
5V
4V
20
Vin=3V
10
0
0 1 2 3V 5
VDS
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
s
tP
10 2
Semiconductor Group
Page 7
13.07.1998

7페이지


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