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OM3115N 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 OM3115N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 OM3115N 자료 제공

부품번호 OM3115N 기능
기능 Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


OM3115N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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OM3115N 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
OM3105P
Hybrid integrated circuits for
inductive proximity detectors
Preliminary specification
File under Discrete Semiconductors, SC17
January 1994
Philips Semiconductors




OM3115N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Hybrid integrated circuits for inductive
proximity detectors
Preliminary specification
OM3105P
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
VB DC supply voltage
IO output current; Ts = 25 °C
Tstg storage temperature
Ts operating substrate temperature
6
40
20
MAX.
35
250
+125
+70
UNIT
V
mA
°C
°C
CHARACTERISTICS
VB = 24 V (DC); Ts = 25 °C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
IB
supply current
output stage ON
output stage OFF
Vd
voltage drop
IO = 250 mA
d
detection distance
coil M5
TYP.
11
1.5
1
0.8
MAX.
1.5
UNIT
mA
mA
V
mm
1.0
d
(mm)
0.9
MBD233
d off
d on
0.8
20
0
20 40 60 80
Ts (oC)
Fig.2 Switching distance as a function of the
substrate temperature.
1.0
d
(mm)
0.9
MBD235
d off
d on
0.8
6
12 18 24 VB (V) 30
Fig.3 Switching distance as a function of the DC
supply voltage.
January 1994
4

4페이지










OM3115N 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Hybrid integrated circuits for inductive
proximity detectors
NOTES
Preliminary specification
OM3105P
January 1994
7

7페이지


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