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부품번호 | OM3115N 기능 |
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기능 | Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
OM3105P
Hybrid integrated circuits for
inductive proximity detectors
Preliminary specification
File under Discrete Semiconductors, SC17
January 1994
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Hybrid integrated circuits for inductive
proximity detectors
Preliminary specification
OM3105P
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
VB DC supply voltage
IO output current; Ts = 25 °C
Tstg storage temperature
Ts operating substrate temperature
6
−
−40
−20
MAX.
35
250
+125
+70
UNIT
V
mA
°C
°C
CHARACTERISTICS
VB = 24 V (DC); Ts = 25 °C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
IB
supply current
output stage ON
output stage OFF
Vd
voltage drop
IO = 250 mA
d
detection distance
coil M5
TYP.
11
1.5
1
0.8
MAX.
−
−
1.5
−
UNIT
mA
mA
V
mm
1.0
d
(mm)
0.9
MBD233
d off
d on
0.8
20
0
20 40 60 80
Ts (oC)
Fig.2 Switching distance as a function of the
substrate temperature.
1.0
d
(mm)
0.9
MBD235
d off
d on
0.8
6
12 18 24 VB (V) 30
Fig.3 Switching distance as a function of the DC
supply voltage.
January 1994
4
4페이지 Philips Semiconductors
Hybrid integrated circuits for inductive
proximity detectors
NOTES
Preliminary specification
OM3105P
January 1994
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
OM3115N | Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors | NXP Semiconductors |
OM3115P | Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors | NXP Semiconductors |
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