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ON1003 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 ON1003은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ON1003 자료 제공

부품번호 ON1003 기능
기능 Photo Interrupter
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


ON1003 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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ON1003 데이터시트, 핀배열, 회로
Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)
ON1003
Photo Interrupter
For contactless SW, object detection
A
Unit : mm
Slit width
(0.3)
Outline
ON1003 is an ultraminiature, highly reliable transmittive
photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting
diode chip and a high sensitivity Si phototransistor chip are integrated
in a double molded resin package.
Features
Ultraminiature : 4.2 × 4.2 mm (height : 5.2 mm)
Fast response : tr, tf = 35 µs (typ.)
Highly precise position detection : 0.15 mm
Gap width : 1.2 mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)
Parameter
Symbol Ratings Unit
Input (Light
emitting diode)
Output (Photo
transistor)
Temperature
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Collector to emitter voltage
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Soldering temperature
VR 6
IF 50
PD*1
75
IC 20
VCEO
35
VECO
6
PC*2
75
Topr –25 to +85
Tstg – 40 to +100
Tsol*3 260
V
mA
mW
mA
V
V
mW
˚C
˚C
˚C
A'
4.2
1.5 1.2 1.5
Device
center
(C0.3)
2-0.25
SEC. A-A'
4.2 (C0.5)
Gate the rest
0.3 max.
ø1.5
+0.1
–0
2-0.5
*3.2 *2.54
13
2
4
1
24
Pin connection
(Note)
1. Tolerance unless otherwise specified is ±0.2
2. ( ) Dimension is reference
3. * is dimension at the root of leads
4. Burrs should be less than 0.15mm
3
*1 Input power derating ratio is
1.0mW/˚C at Ta 25˚C.
*2 Output power derating ratio is
1.0mW/˚C at Ta 25˚C.
*3 Soldering time is within 5 seconds.
more than 1mm
Soldering bath
Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Input Forward voltage (DC)
characteristics Reverse current (DC)
VF IF = 20mA
IR VR = 3V
Output characteristics Collector cutoff current
ICEO VCE = 20V
Collector current
IC VCE = 5V, IF = 5mA
Transfer
characteristics
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) IF = 10mA, IC = 50µA
Response time
tr , tf* VCC = 5V, IC = 0.1mA, RL = 1000
* Switching time measurement circuit
100
1.2 1.4 V
10 µA
100 nA
1300 µA
0.4 V
35 µs
Sig.IN
50
VCC
(Input pulse)
Sig.OUT (Output pulse)
RL
td
tr
90%
10%
tf
td : Delay time
tr : Rise time (Time required for the collector current to increase
from 10% to 90% of its final value)
tf : Fall time (Time required for the collector current to decrease
from 90% to 10% of its initial value)
1





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