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ON1109 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 ON1109은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ON1109 자료 제공

부품번호 ON1109 기능
기능 Photo Interrupter
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


ON1109 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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ON1109 데이터시트, 핀배열, 회로
Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)
ON1109
Photo Interrupter
For contactless SW, object detection
Outline
ON1109 is a photocoupler in which a high efficiency GaAs
infrared light emitting diode is used as the light emitting element,
and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting
element. The two elements are arranged so as to face each other,
and objects passing between them are detected.
Features
Highly precise position detection : 0.7 mm
Fast response : tr, tf = 6 µs (typ.)
Small output current variation against change in temperature
Deep and wide gap between emitting and detecting elements
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)
Parameter
Symbol Ratings Unit
Input (Light
emitting diode)
Output (Photo
transistor)
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Collector to emitter voltage
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
VR
IF
PD*1
IC
VCEO
VECO
PC*2
3
50
75
20
30
5
100
V
mA
mW
mA
V
V
mW
Temperature Operating ambient temperature Topr –25 to +85 ˚C
Storage temperature
Tstg –30 to +100 ˚C
Mark for indicating
LED side ø1.5
2-C2.0±0.3
Unit : mm
28.0±0.35
17.0±0.3
5.0±0.2
A
Device
center
1.0±0.2
A'
(12.0)
2-0.45±0.2
(2.54)
SEC. A-A'
2 22.4±0.2 3
2-ø3.2±0.2
1 42
3
14
Pin connection
(Note) ( ) Dimension is reference
*1 Input power derating ratio is
1.0 mW/˚C at Ta 25˚C.
*2 Output power derating ratio is
1.34 mW/˚C at Ta 25˚C.
Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Input Forward voltage (DC)
VF IF = 50mA
1.2 1.5 V
characteristics Reverse current (DC)
IR VR = 3V
10 µA
Output Collector cutoff current
ICEO VCE = 10V
200 nA
characteristics Collector to emitter capacitance CC VCE = 10V, f = 1MHz
5 pF
Collector current
Transfer
Response time
characteristics
IC VCE = 10V, IF = 20mA
tr , tf* VCC = 10V, IC = 1mA, RL = 100
0.3
6
mA
µs
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 50mA, IC = 0.1mA
0.3 V
* Switching time measurement circuit
Sig.IN
50
VCC
(Input pulse)
Sig.OUT (Output pulse)
RL
td
tr
90%
10%
tf
td : Delay time
tr : Rise time (Time required for the collector current to increase
from 10% to 90% of its final value)
tf : Fall time (Time required for the collector current to decrease
from 90% to 10% of its initial value)
1





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