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P0111MN2AL3 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P0111MN2AL3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P0111MN2AL3 자료 제공

부품번호 P0111MN2AL3 기능
기능 0.8A SCRs
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P0111MN2AL3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P0111MN2AL3 데이터시트, 핀배열, 회로
®
SENSITIVE
P01 Series
0.8A SCRs
MAIN FEATURES:
Symbol
IT(RMS)
VDRM/VRRM
IGT
Value
0.8
400 and 600
5 to 200
Unit
A
V
µA
DESCRIPTION
Thanks to highly sensitive triggering levels, the
P01 SCR series is suitable for all applications
where available gate current is limited, such as
ground fault circuit interruptors, pilot circuits in
solid state relays, stand-by mode power supplies,
smoke and alarm detectors.
Available in through-hole or surface mount pack-
ages, the voltage capability of this series has been
upgrated since its introduction, to reach 600 V.
A
G
K
TO-92
(P01xxA)
SOT-223
(P01xxN)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
Parameter
IT(RMS) RMS on-state current
(180° conduction angle)
IT(AV)
Average on-state current
(180° conduction angle)
ITSM
Non repetitive surge peak on-state
current
I²t
dI/dt
IGM
PG(AV)
Tstg
Tj
I²t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2 x IGT , tr 100 ns
Peak gate current
Average gate power dissipation
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
tp = 8.3 ms
tp = 10 ms
tp = 10ms
F = 60 Hz
tp = 20 µs
Tl = 55°C
Tamb = 70°C
Tl = 55°C
Tamb = 70°C
Tj = 25°C
Tj = 25°C
Value
0.8
0.5
8
7
0.24
Tj = 125°C
50
Tj = 125°C
Tj = 125°C
1
0.1
- 40 to + 150
- 40 to + 125
Unit
A
A
A
A2S
A/µs
A
W
°C
September 2000 - Ed: 3
1/6




P0111MN2AL3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
P01 Series
Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[T] = 25°C
6
5
4
3
2
1
0
-40 -20
Tj(°C)
0 20 40 60
80 100 120 140
Fig. 5:Relative variation of holding current versus
gate-cathode resistance (typical values).
IH[Rgk]/IH[Rgk=1k]
Rgk(kΩ)
Fig. 6: Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode resistance (typical values).
dV/dt[Rgk] / dV/dt[Rgk=1k]
10.0
1.0
Rgk(kΩ)
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Fig. 8: Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 7: Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode capacitance (typical values).
dV/dt[Cgk] / dV/dt[Rgk=1k]
10
8
6
4
2
Cgk(nF)
0
01 2 3 4 5 67
Fig. 9: Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10 ms, and corresponding value of I²t.
ITSM(A)
8
7
6
5 Non repetitive
Tj initial=25°C
4
3
Repetitive
Tamb=25°C
2
1
0
1 10
tp=10ms
Onecycle
Numberofcycles
100 1000
ITSM(A), I2t(A2s)
100.0
10.0
1.0
0.1
0.01
tp(ms)
0.10 1.00
10.00
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