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SE5539F 데이터시트 PDF




Philips에서 제조한 전자 부품 SE5539F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SE5539F 자료 제공

부품번호 SE5539F 기능
기능 High frequency operational amplifier
제조업체 Philips
로고 Philips 로고


SE5539F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SE5539F 데이터시트, 핀배열, 회로
RF COMMUNICATIONS PRODUCTS
NE/SE5539
High frequency operational amplifier
Product specification
IC11
April 15, 1992
Philips Semiconductors




SE5539F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
High frequency operational amplifier
Product specification
NE/SE5539
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)
VCC = ±8V, TA = 25°C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VOUT
VOUT
ICC+
ICC-
PSRR
AVOL
AVOL
AVOL
Output voltage swing
Output voltage swing
Positive supply current
Negative supply current
Power supply rejection ratio
Large signal voltage gain
Large signal voltage gain
Large signal voltage gain
RL = 150to GND and
470to -VCC
RL = 25to GND
Over temp
+Swing
-Swing
+Swing
-Swing
RL = 25to GND
TA = 25°C
+Swing
-Swing
VO = 0, R1 = , Over temp
VO = 0, R1 = , TA = 25°C
VO = 0, R1 = , Over temp
VO = 0, R1 = , TA = 25°C
VCC = ±1V, Over temp
VCC = ±1V, TA = 25°C
VO = +2.3V, -1.7V, RL = 150to
GND, 470to -VCC
VO = +2.3V, -1.7V
Over
temp
RL = 2to GND
TA = 25°C
VO = +2.5V, -2.0V
Over
temp
RL = 2to GND
TA = 25°C
SE5539
MIN TYP MAX
+2.3 +3.0
-1.5 -2.1
+2.5 +3.1
-2.0 -2.7
14 18
14 17
11 15
11 14
300 1000
46 60
48 53 58
NE5539
MIN TYP MAX
+2.3 +2.7
-1.7 -2.2
UNITS
V
V
mA
14 18
mA
11 15
µV/V
200 1000
47 52 57 dB
dB
47 52 57
dB
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC = ±6V, TA = 25°C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VOS Input offset voltage
IOS Input offset current
IB
CMRR
Input bias current
Common-mode rejection ratio
ICC+ Positive supply current
ICC- Negative supply current
PSRR Power supply rejection ratio
VOUT Output voltage swing
TEST CONDITIONS
Over temp
TA = 25°C
Over temp
TA = 25°C
Over temp
TA = 25°C
VCM = ±1.3V, RS = 100
Over temp
TA = 25°C
Over temp
VCC = ±1V
Over
TA = 25°CmA
Over temp
TA = 25°C
+Swing
RL = 150to GND
and 390to –VCC
temp
TA =
25°C
–Swing
+Swing
–Swing
SE5539
MIN TYP MAX
25
23
0.1 3
0.1 1
5 20
4 10
70 85
11 14
11 13
8 11
8 10
300 1000
UNITS
mV
µA
µA
dB
mA
mA
µV/V
+1.4
–1.1
+1.5
–1.4
+2.0
–1.7
+2.0
–1.8
V
1992 Apr 15
4

4페이지










SE5539F 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
High frequency operational amplifier
Product specification
NE/SE5539
CIRCUIT LAYOUT CONSIDERATIONS
As may be expected for an ultra-high frequency, wide-gain
bandwidth amplifier, the physical circuit is extremely critical.
Bread-boarding is not recommended. A double-sided copper-clad
printed circuit board will result in more favorable system operation.
An example utilizing a 28dB non-inverting amp is shown in Figure 6.
OPTIONAL
OFFSET
ADJ.
+V
R5
–V
R4
R1
75
VIN
R2
75
R1 = 755% CARBON
R2 = 755% CARBON
R3 = 755% CARBON
R4 = 36K 5% CARBON
RF
1nF
+V
RFC
–14
NE5539
7
10
3
8
+1
1nF
470
R6
RFC
1nF
R3 75
75
VOUT TERM
1nF
—V
R5 = 20k TRIMPOT (CERMET)
RF = 1.5k (28dB GAIN)
R6 = 4705% CARBON
RFC 3T # 26 BUSS WIRE ON
FERROXCUBE VK 200 09/3B CORE
BYPASS CAPACITORS
1nF CERAMIC
(MEPCO OR EQUIV.)
Top Plane Copper1
(Component Side)
Component Side
(Component Layout)
Bottom Plane
Copper1
—V X
R5
X
RFC
R2 R4 R1 +V
(1)
VIN X
XX
X
CC
X
X
RFC
X
X R6
XX
RF
R5
1992 Apr 15
Figure 6. 28dB Non-Inverting Amp Sample PC Layout
7
SL00575

7페이지


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