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부품번호 | SF0R3G42 기능 |
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기능 | LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
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전체 7 페이지수
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SF0R3G42
LOW POWER SWITCHING AND CONTROL
APPLICATIONS
l Repetitive Peak Off−State Voltage : VDRM = 400V
Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM = 400V
l Average On−State Current
: IT (AV) = 300mA
l Plastic Mold Type.
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
Repetitive Peak Off-State Voltage and
Repetitive Peak Reverse Voltage
(RGK = 1kΩ)
Non−Repetitive Peak Reverse
Voltage (Non-Repetitive<5ms,
RGK = 1kΩ, Tj = 0 ~ 125°C)
Average On−State Current
(Half Sine Waveform Ta = 45°C)
R.M.S On−State Current
Peak One Cycle Surge On−State
Current (Non-Repetitive)
I2t Limit Value
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Forward Gate Voltage
Peak Reverse Gate Voltage
Peak Forward Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VDRM
VRRM
VRSM
IT (AV)
IT (RMS)
ITSM
I2t
PGM
PG (AV)
VFGM
VRGM
IGM
Tj
Tstg
400
500
300
450
9 (50Hz)
9.9 (60Hz)
0.4
0.1
0.01
3.5
−5
125
−40~125
−40~125
Note: Should be used with gate resistance as follows.
UNIT
V
V
mA
mA
A
A2s
W
W
V
V
mA
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.2g
SF0R3G42
Unit: mm
TO−92
SC−43
13−5A1A
1 2001-07-13
SF0R3G42
4 2001-07-13
4페이지 This datasheet has been download from:
www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.
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SF0R3G42 | LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS | Toshiba Semiconductor |
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