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BB301 데이터시트 PDF




Hitachi에서 제조한 전자 부품 BB301은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BB301 자료 제공

부품번호 BB301 기능
기능 Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
제조업체 Hitachi
로고 Hitachi 로고


BB301 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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BB301 데이터시트, 핀배열, 회로
BB301C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
VHF RF Amplifier
ADE-208-507
1st. Edition
Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
Low noise characteristics; (NF = 1.3 dB typ. at f = 200 MHz)
Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode . Withstand up to 200 V at C = 200 pF,
Rs = 0 conditions.
Outline
CMPAK–4
2
3
1
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain




BB301 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BB301C
Main Characteristics
Test Circuit for Operating Items (ID(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)
VG2
Gate 2
RG
Gate 1
VG1
Drain
A
ID
Source
Application Circuit
VAGC = 4 to 0.3 V
BBFET
V DS = 5 V
Output
Input
RG
V GG = 5 V
4

4페이지










BB301 전자부품, 판매, 대치품
Forward Transfer Admittance
vs. Gate1 Voltage
20
VDS = 5 V
RG = 150 k
16 f = 1 kHz
4V
3V
12 2 V
8
4
VG2S = 1 V
0 1 2345
Gate1 Voltage VG1 (V)
BB301C
Power Gain vs. Gate Resistance
30
25
20
15
10
VDS = 5 V
5
VG1 = 5 V
VG2S = 4 V
f = 200 MHz
0
10 20 50
100 200
500 1000
Gate Resistance RG (k)
Noise Figure vs. Gate Resistance
4
VDS = 5 V
VG1 = 5 V
3 VG2S = 4 V
f = 200 MHz
2
1
0
10 20
50 100 200 500 1000
Gate Resistance RG (k)
Power Gain vs. Drain Current
30
25
20
15
10 VDS = 5 V
VG1 = 5 V
5 VG2S = 4 V
RG = variable
f = 200 MHz
0 5 10 15 20 25
Drain Current ID (mA)
30
7

7페이지


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