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부품번호 | BB301 기능 |
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기능 | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier | ||
제조업체 | Hitachi | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
BB301C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
VHF RF Amplifier
ADE-208-507
1st. Edition
Features
• Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
• Low noise characteristics; (NF = 1.3 dB typ. at f = 200 MHz)
• Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode . Withstand up to 200 V at C = 200 pF,
Rs = 0 conditions.
Outline
CMPAK–4
2
3
1
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
BB301C
Main Characteristics
Test Circuit for Operating Items (ID(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)
VG2
Gate 2
RG
Gate 1
VG1
Drain
A
ID
Source
Application Circuit
VAGC = 4 to 0.3 V
BBFET
V DS = 5 V
Output
Input
RG
V GG = 5 V
4
4페이지 Forward Transfer Admittance
vs. Gate1 Voltage
20
VDS = 5 V
RG = 150 kΩ
16 f = 1 kHz
4V
3V
12 2 V
8
4
VG2S = 1 V
0 1 2345
Gate1 Voltage VG1 (V)
BB301C
Power Gain vs. Gate Resistance
30
25
20
15
10
VDS = 5 V
5
VG1 = 5 V
VG2S = 4 V
f = 200 MHz
0
10 20 50
100 200
500 1000
Gate Resistance RG (kΩ)
Noise Figure vs. Gate Resistance
4
VDS = 5 V
VG1 = 5 V
3 VG2S = 4 V
f = 200 MHz
2
1
0
10 20
50 100 200 500 1000
Gate Resistance RG (kΩ)
Power Gain vs. Drain Current
30
25
20
15
10 VDS = 5 V
VG1 = 5 V
5 VG2S = 4 V
RG = variable
f = 200 MHz
0 5 10 15 20 25
Drain Current ID (mA)
30
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BB301 | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier | Hitachi |
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