Datasheet.kr   

DG858BW45 데이터시트 PDF




Dynex에서 제조한 전자 부품 DG858BW45은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DG858BW45 자료 제공

부품번호 DG858BW45 기능
기능 Gate Turn-off Thyristor
제조업체 Dynex
로고 Dynex 로고


DG858BW45 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 19 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

DG858BW45 데이터시트, 핀배열, 회로
Replaces July 1999 version, DS4096-3.0
FEATURES
q Double Side Cooling
q High Reliability In Service
q High Voltage Capability
q Fault Protection Without Fuses
q High Surge Current Capability
q Turn-off Capability Allows Reduction In Equipment
Size And Weight. Low Noise Emission Reduces
Acoustic Cladding Necessary For Environmental
Requirements
APPLICATIONS
q Variable speed A.C. motor drive inverters (VSD-AC)
q Uninterruptable Power Supplies
q High Voltage Converters
q Choppers
q Welding
q Induction Heating
q DC/DC Converters
VOLTAGE RATINGS
Type Number
DG858BW45
Repetitive Peak
Off-state Voltage
VDRM
V
4500
DG858BW45
DG858BW45
Gate Turn-off Thyristor
DS4096-4.0 January 2000
KEY PARAMETERS
ITCM
VDRM
IT(AV)
dVD/dt
diT/dt
3000A
4500V
1180A
1000V/µs
300A/µs
Package outline type code: W.
See Package Details for further information.
Figure 1. Package outline
Repetitive Peak Reverse
Voltage
VRRM
V
16
Conditions
Tvj = 125oC, IDM = 100mA,
IRRM = 50mA
CURRENT RATINGS
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
ITCM
I
T(AV)
IT(RMS)
Repetitive peak controllable on-state current VD = 66% VDRM, Tj = 125oC, diGQ/dt = 40A/µs, Cs = 3µF 3000
Mean on-state current
THS = 80oC. Double side cooled, half sine 50Hz 1180
RMS on-state current
THS = 80oC. Double side cooled, half sine 50Hz 1850
Units
A
A
A
1/19




DG858BW45 pdf, 반도체, 판매, 대치품
DG858BW45
CURVES
2.5
12.5
2.0 10.0
1.5 7.5
1.0 5.0
VGT
0.5 2.5
IGT
00
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction temperature Tj - (˚C)
Figure 2. Maximum gate trigger voltage/current vs junction temperature
4000
3000
Measured under pulse
conditions.
IG(ON) = 10A
Half sine wave 10ms
Tj = 25˚C
2000
Tj = 125˚C
1000
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Instantaneous on-state voltage VTM - (V)
Figure 3. On-state characteristics
4/19

4페이지










DG858BW45 전자부품, 판매, 대치품
DG858BW45
4500
4000
3500
3000
Conditions:
Tj = 25˚C
IFGM = 40A
Cs = 3µF
Rs = 10 Ohms
dIT/dt = 300A/µs
dIFG/dt = 40A/µs
2500
2000
VD = 3000V
VD = 2000V
1500
1000
VD = 1000V
500
0
0
500
1000
1500
2000
2500
On-state current IT - (A)
Figure 9. Turn-on energy vs on-state current
8000
7000
6000
Conditions:
IT = 3000A, Tj = 25˚C,
Cs = 3.0µF, Rs = 10 Ohms
dIT/dt = 300A/µs,
dIFG/dt = 40A/µs
5000
3000
4000
3000
2000
1000
VD = 3000V
VD = 2000V
VD = 1000V
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Peak forward gate current IFGM- (A)
Figure 10. Turn-on energy vs peak forward gate current
7/19

7페이지


구       성 총 19 페이지수
다운로드[ DG858BW45.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
DG858BW45

Gate Turn-off Thyristor

Dynex
Dynex

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵