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K4T1G044QM 데이터시트 PDF




Samsung에서 제조한 전자 부품 K4T1G044QM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K4T1G044QM 자료 제공

부품번호 K4T1G044QM 기능
기능 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
제조업체 Samsung
로고 Samsung 로고


K4T1G044QM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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K4T1G044QM 데이터시트, 핀배열, 회로
1Gb M-die DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
Version 1.1
January 2005
Page 1 of 29
Rev.1.1 Jan. 2005




K4T1G044QM pdf, 반도체, 판매, 대치품
1Gb M-die DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
2. Package Pinout/Mechnical Dimension & Addressing
2.1 Package Pinout
x4 package pinout (Top View) : 68ball FBGA Package(60balls + 8balls of dummy balls)
1
NC
2
NC
3
VDD
NC
VSS
NC
VDDQ
VSSQ
DQ1
DM
VDDQ
NC
VSSQ DQ3
VDDL VREF
VSS
CKE
WE
BA2
BA0
BA1
VSS
A10/AP
A3
A1
A5
A7 A9
VDD
A12
NC
NC
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
7 89
NC
NC
VSSQ DQS VDDQ
DQS VSSQ
NC
VDDQ DQ0 VDDQ
DQ2 VSSQ
NC
VSSDL CK
VDD
RAS
CK
ODT
CAS
CS
A2 A0 VDD
A6 A4
A11 A8 VSS
NC
A13
NC
NC
Notes:
1. Pin E3 has identical
capacitance as pin E7.
2. VDDL and VSSDL are
power and ground for the
DLL.
Ball Locations (x4)
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View (See the balls through the Package)
123456789
A + + +++
B + ++ + +++ ++
C + ++ + +++ ++
D + ++ + +++ ++
E + ++
F + ++
G + ++
H + ++
J + ++
K+
+ ++
L
+ ++
+
M+
+ ++
N
+ ++
+
P+
+ ++
R
+ ++
+
T + ++ + +++ ++
U + ++ + +++ ++
V + ++ + +++ ++
W + + +++
Page 4 of 29
Rev.1.1 Jan. 2005

4페이지










K4T1G044QM 전자부품, 판매, 대치품
1Gb M-die DDR2 SDRAM
FBGA Package Dimension(x4/x8)
11.00 ± 0.10
DDR2 SDRAM
# A1 INDEX MARK
#A1
(0.90)
(1.80)
(5.50)
11.00 ± 0.10
Page 7 of 29
0.35±0.05
MAX.1.20
Rev.1.1 Jan. 2005

7페이지


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