 |
|
20N60B 데이터시트 PDF
특징 및 기능IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 20N60B은 전자 산업 및 응용 분야에서 |
PDF 형식의 20N60B 자료 제공
| 부품번호 | 20N60B 기능 |
|
|
| 기능 | Hiperfast(tm) Igbt | ||
| 제조업체 | IXYS Corporation | ||
| 로고 |  |
||
전체 4 페이지수
HiPerFASTTM IGBT
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
VCES
IC25
VCE(sat)typ
tfi
= 600 V
= 40 A
= 1.7 V
= 100 ns
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
VCES
VCGR
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW
VGES
V
GEM
Continuous
Transient
I
C25
IC90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T = 25°C
C
TC = 90°C
T = 25°C, 1 ms
C
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W
Clamped inductive load, L = 100 mH
PC TC = 25°C
TJ
T
JM
Tstg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Md Mounting torque (TO-220)
Weight
TO-220
TO-263
Maximum Ratings
600
600
±20
±30
40
20
80
ICM = 40
@ 0.8 VCES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
M3 0.45/4 Nm/lb.in.
M3.5 0.55/5 Nm/lb.in.
4g
2g
Symbol
BVCES
VGE(th)
ICES
IGES
VCE(sat)
Test Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IC = 250 mA, VGE = 0 V
IC = 250 mA, VCE = VGE
VCE = 0.8 • VCES
VGE = 0 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VCE = 0 V, VGE = ±20 V
IC = IC90, VGE = 15 V
600 V
2.5 5 V
200 mA
1 mA
±100 nA
1.7 2.0 V
TO-220AB (IXGP)
GCE
TO-263 AA (IXGA)
G
E C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Features
· International standard packages
JEDEC TO-263 surface
mountable and JEDEC TO-220 AB
· High frequency IGBT
· High current handling capability
· HiPerFASTTM HDMOSTM process
· MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
· Uninterruptible power supplies (UPS)
· Switched-mode and resonant-mode
power supplies
· AC motor speed control
· DC servo and robot drives
· DC choppers
Advantages
· High power density
· Suitable for surface mounting
· Very low switching losses for high
frequency applications
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
© 2000 IXYS All rights reserved
98506B (07/99)
1-4
 
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
3.0
TJ = 125°C
2.5 RG = 10
6
5
2.0 4
1.5
E(ON)
1.0
0.5
E(OFF)
3
2
1
0.0
0
0
10 20 30 40 50
IC - Amperes
Fig. 7. Dependence of EON and EOFF on IC.
15
IC = 20A
VCE = 300V
12
9
6
3
0
0 20 40 60 80 100
Qg - nanocoulombs
Fig. 9. Gate Charge
4
TJ = 125°C
8
3
E(ON)
2
E(ON)
1 E(ON)
IC =40A
IC = 20A
IC = 10A
E(OFF)
6
4
E(OFF)
2
E(OFF)
00
0 10 20 30 40 50 60
RG - Ohms
Fig. 8. Dependence of EON and EOFF on RG.
100
40
10
TJ = -55 to +125°C
RG = 4.7
dV/dt < 5V/ns
1
0.1
0
100 200 300 400 500 600
VCE - Volts
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
1
D=0.5
D=0.2
0.1 D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
0.01
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width - Seconds
Fig. 11. IGBT Transient Thermal Resistance Junction-to-Case
D = Duty Cycle
0.1 1
© 2000 IXYS All rights reserved
4-4
4페이지 | |||
| 구 성 | 총 4 페이지수 | ||
| 다운로드 | [ 20N60B.PDF 데이터시트 ] |
본 사이트를 통해서 주요 제조업체의 전자 부품 및 장치의 기술 사양을 쉽게 찾을 수 있습니다. |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
관련 데이터시트
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
| 20N60 | 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |  Unisonic Technologies |
| 20N60A4D | HGTG20N60A4D |  Fairchild Semiconductor |
사이트 맺음말
|
Datasheet.kr 사이트를 이용해 주셔서 감사합니다. 찾고 계시는 정보를 찾으셨고 도움이 되셨기를 바랍니다. 우리는 플랫폼을 지속적으로 개선하고 새로운 기능을 추가하여 사용자 경험을 향상시키기 위해 최선을 다하고 있습니다. 더 나은 서비스를 제공할 수 있는 방법에 대한 피드백이나 제안 사항이 있으면 문의하십시오. |
| DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |