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FZ1200R12KE3 데이터시트 PDF




Eupec에서 제조한 전자 부품 FZ1200R12KE3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FZ1200R12KE3 자료 제공

부품번호 FZ1200R12KE3 기능
기능 IGBT Power Module
제조업체 Eupec
로고 Eupec 로고


FZ1200R12KE3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZ1200R12KE3 데이터시트, 핀배열, 회로
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
vorläufige Daten
preliminary data
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
1200
1700
2400
5,6
+/- 20
1200
2400
300
2,5
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V; VCE=...V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2 t.b.d.
VGE(th)
5
5,8 6,5
V
V
V
QG - 11,5 - µC
Cies - 86
- nF
Cres
-
4
- nF
ICES
-
- 5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-29
revision: 2.0
1 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29




FZ1200R12KE3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
IC= f(VCE)
VGE= 15V
2400
2100
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1500
1200
900
600
300
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
2400
2100
1800
1500
1200
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
Vge=11V
Vge=9V
900
600
300
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
4 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29

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FZ1200R12KE3 전자부품, 판매, 대치품
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
ZthJC = f (t)
0,1
0,01
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
Zth : IGBT
Zth : Diode
1
10
i
ri [K/kW] : IGBT
ti [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
ti [s] : Diode
1
2,63
6,897E-01
11,48
4,452E-01
2
8,62
5,634E-02
12,60
7,451E-02
3
8,49
2,997E-02
13,23
2,647E-02
4
2,26
3,820E-03
2,69
2,850E-03
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE=±15V, Tvj=125°C
3000
2700
2400
2100
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
IC,Chip
IC,Chip
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
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