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부품번호 | STD1NB80 기능 |
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기능 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
제조업체 | ST Microelectronics | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
STD1NB80
N - CHANNEL 800V - 16Ω - 1A - DPAK/IPAK
PowerMESH™ MOSFET
PRELIMINARY DATA
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STD1NB80
800 V
< 20 Ω
1A
s TYPICAL RDS(on) = 16 Ω
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
s ADD SUFFIX "T4" FOR ORDERING IN
TAPE&REEL
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix "-1")
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS
FOR HANDHELD EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
VGS
ID
ID
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
IDM(•) Drain Current (pulsed)
Ptot Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•) Pulse width limited by safe operating area
May 1999
Value
800
800
± 30
1
0.63
4
50
0.4
4.5
-65 to 150
150
(1) ISD ≤ 1Α, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/oC
V/ns
oC
oC
1/6
STD1NB80
DIM.
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
MIN.
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
mm
TYP.
0.3
0.8
MAX.
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
MIN.
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
inch
TYP.
0.012
0.031
H
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
L2 D
L
L1
0068771-E
4/6
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STD1NB80 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ST Microelectronics |
STD1NB80-1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ST Microelectronics |
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