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부품번호 | STD16NE10L 기능 |
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기능 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
제조업체 | ST Microelectronics | ||
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전체 6 페이지수
® STD16NE10L
N - CHANNEL 100V - 0.07 Ω - 16A DPAK
STripFET™ POWER MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(o n)
ID
STD16NE10L 100 V < 0.10 Ω
16 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω
s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s LOW GATE CHARGE
s HIGH CURRENT CAPABILITY
s 175 oC OPERATING TEMPERATURE
s LOW THRESHOLD DRIVE
s ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE
& REEL
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique ”Single Feature
Size™” strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
PRELIMINARY DATA
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ymb ol
Parameter
VDS
VDGR
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)
VG S
ID
ID
IDM(•)
Ptot
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/ dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•) Pulse width limited by safe operating area
Va l u e
100
100
± 20
16
11
64
55
0.36
7
-65 to 175
175
( 1) ISD ≤16A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W /o C
V/ns
oC
oC
May 2000
1/6
STD16NE10L
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4: Gate Charge test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STD16NE10 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ST Microelectronics |
STD16NE10L | N-CHANNEL POWER MOSFET | ST Microelectronics |
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