Datasheet.kr   

STD16NE10L 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD16NE10L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD16NE10L 자료 제공

부품번호 STD16NE10L 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD16NE10L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STD16NE10L 데이터시트, 핀배열, 회로
® STD16NE10L
N - CHANNEL 100V - 0.07 - 16A DPAK
STripFETPOWER MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(o n)
ID
STD16NE10L 100 V < 0.10
16 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.07
s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s LOW GATE CHARGE
s HIGH CURRENT CAPABILITY
s 175 oC OPERATING TEMPERATURE
s LOW THRESHOLD DRIVE
s ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE
& REEL
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique ”Single Feature
Size” strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
PRELIMINARY DATA
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ymb ol
Parameter
VDS
VDGR
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
VG S
ID
ID
IDM()
Ptot
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/ dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
Va l u e
100
100
± 20
16
11
64
55
0.36
7
-65 to 175
175
( 1) ISD 16A, di/dt 300 A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W /o C
V/ns
oC
oC
May 2000
1/6




STD16NE10L pdf, 반도체, 판매, 대치품
STD16NE10L
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4: Gate Charge test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
4/6

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ STD16NE10L.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STD16NE10

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics
STD16NE10L

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵