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STD10PF06 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD10PF06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD10PF06 자료 제공

부품번호 STD10PF06 기능
기능 P-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD10PF06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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STD10PF06 데이터시트, 핀배열, 회로
STD10PF06
P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAK
STripFET™ II POWER MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STD10PF06
60 V < 0.20 10 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.18
s EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s LOW GATE CHARGE
s APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
s THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")
s SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4")
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-
based process. The resulting transistor shows extremely
high packing density for low on-resistance, rugged
avalanche characteristics and less critical alignment
steps therefore a remarkable manufacturing
reproducibility.
APPLICATIONS
s MOTOR CONTROL
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuous) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuous) at TC = 100°C
IDM(•)
Drain Current (pulsed)
Ptot Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•) Pulse width limited by safe operating area.
Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current
has to be reversed
March 2002
.
Value
Unit
60 V
60 V
± 20 V
10 A
7A
40 A
40 W
0.27
W/°C
6 V/ns
-65 to 175
°C
175 °C
(1) ISD 10A, di/dt 300A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/9




STD10PF06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STD10PF06
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
4/9

4페이지










STD10PF06 전자부품, 판매, 대치품
STD10PF06
DIM.
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
MIN.
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
mm
TYP.
0.3
0.8
MAX.
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
MIN.
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
inch
TYP.
0.012
0.031
H
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
L2 D
L
L1
0068771-E
7/9

7페이지


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